非直线锥形倒锥耦合器结构

本发明提供一种非直线锥形倒锥耦合器结构，包括：一硅衬底；一埋氧层，该埋氧层制作在衬底上，该埋氧层的材料为二氧化硅；一顶层硅，该顶层硅制作在埋氧层上，可以有效的防止光泄漏到衬底中，该顶层硅的一端为条形波导，另一端为倒锥耦合器，其中该倒锥耦合器为渐变的指数型或二次方型结构，该倒锥耦合器的工作波长为1500nm到1600nm，其插入损耗的波动小于0.3dB

脊型光波导和倒锥耦合器集成的制作方法

一种脊型光波导和倒锥耦合器集成的制作方法，包括如下步骤：步骤1：在衬底上旋涂一层光刻胶，利用光刻技术形成第一掩膜图形，该第一掩膜图形表面的一侧为矩形另一侧为锥形；步骤2：利用刻蚀技术将掩膜图形长方向两侧的衬底刻蚀掉，刻蚀深度小于衬底的厚度，在掩膜图形两侧形成平板区；步骤3：在衬底上再旋涂一层光刻胶，利用光刻技术在掩膜图形的矩形区及其两侧的平板区形成第二掩膜图形；步骤4：利用刻蚀技术将掩膜图形的锥形部分的两侧平板区刻蚀掉；步骤5：去掉第一及第二掩膜图形，完成器件的制作

“新工科”理念下应用型高校实践教学体系重构

立足服务“交通强国”“民航强国”等国家战略，论文研究“新工科”理念对应用型高校人才培养模式的影响及改革方向。通过系统地阐述实践教学项目更新、课程体系构建、教学模式优化、平台建设及运行保障体系的完善，探索实践条件平台规模化建设后新工科专业实践教学体系的重构范式。</jats:p

光纤到户用单纤三向复用器芯片的研究

采用非对称Y分支波导和多模干涉型耦合器级联的方案设计出了一种光纤到户用单纤三向复用器芯片.模拟光谱响应结果表明,三个波长输出光斑清晰,实现了1 490 nm和1 550 nm下行波长的下传和1 310 nm波长的上传.有限差分束传播法模拟结果表明:该器件插入损耗小于1.49 dB,三个响应波长的带宽满足ITU.984规定的带宽要求;1 310 nm上传信号隔离度达到47 dB以上,1 490 nm与1 550 nm间信号隔离度达到29 dB以

SOI亚微米脊型光波导倒锥耦合器免刻蚀氧化制作方法

一种SOI亚微米脊型光波导倒锥耦合器免刻蚀氧化制作方法，包括：在SOI的顶层硅上氧化一层二氧化硅层；通过光刻工艺，在二氧化硅层上面形成掩膜图形，该掩膜图形的一端为矩形，另一端为锥形通过刻蚀工艺，将没有掩膜图形保护的二氧化硅层刻蚀，刻蚀后形成被掩膜图形保护的二氧化硅的矩形区域和锥形区域；去掉SOI的顶层硅上遗留下的掩膜图形，形成样品；对上述的样品进行氧化，将被刻蚀过的二氧化硅层下面的SOI的顶层硅，氧化到预定高度，从而形成脊型波导的平板区；被二氧化硅层的矩形区域保护的SOI的顶层硅，形成脊型波导的内脊区；而被二氧化硅层的锥形区域保护的SOI的顶层硅，形成和内脊区自然过渡连接的条形波导倒锥结构，完成脊型波导和倒锥耦合器的自然集成