Reforms and development of the newly established regional universities

树立适合本科教育的大学理念,是新建地方本科院校实现制度转型并获得可持续发展的先决条件;建立和完善常规管理体系,强化教育成本核算和问责机制,则是新建本科院校提高管理水平和办学效益的关键;加强关键领域的投入与管理改革,以关键领域的提升带动整体发展,则是其立足自身条件、改革发展模式的必然选择。Proper university conceptions are thought of as preconditions for the newly established regional universities in relation to the system transfer and sustainable development.Hence the improvement of the management system,execution of the educational cost and penalty mechanisms are vital measures to guarantee the standard of the management and schooling benefit.泰山学院科研资助立项项目“新建地方本科院校发展模式研究”;基金号:Y07-1-2

自组织特征映射人工神经网络对有机涂层电化学阻抗谱的分析

应用SOM神经网络,以不同阻抗参数对阻抗谱进行了自动分析。由于相位角和阻抗模值、相位角和阻抗变化率、相位角变化率和阻抗模值的数据组合,既可以反映阻抗谱形状的变化,又包括了阻抗谱大小的变化,应用SOM人工神经网络,获得了较好的分类结果,其中相位角和阻抗变化率的数据组合效果最好

应用拉普拉斯变换和留数法求解常见非稳态扩散情况下的菲克定律

介绍了三维和一维扩散下的菲克定律,以及两类涉及到扩散的实际问题,即求扩散粒子通过曲面的扩散通量和求解扩散粒子的浓度分布.通过拉普拉斯变换和复变函数相关数学理论,求解了菲克扩散定律在无限长介质和有限长介质两种非稳态扩散情况下的解.粒子在无限长介质中的非稳态扩散和浓度分布可通过方程φ(z,t)=Φ·erfc(z/2DT~(1/2))表示.方程为余补高斯误差函数.粒子在有限长介质中的非稳态扩散和浓度分布可通过方程φ(z,t)=Φ+Φ·4/π∑_(n=1)~(+∞)((-1)~n)/(2n-1)cos[z/L(n-1/2)π]e~((D_t)/(L~2)(n-1/2)~2π~2)表示.该方程为无限加和形式,当n≥100000时,φ可以精确到小数点后6位,在方程的图像上不再能观察出由n的取值造成的误差.从方程的图像可得到粒子在扩散介质中达到饱和的时间或粒子扩散到z=0处的时间等具有重要物理意义的参数

应用EIS研究改性无溶剂环氧防腐涂层的防护性能和腐蚀特征

本实验使用电化学阻抗谱技术发现钢材表面不同厚度的改性无溶剂环氧防腐涂层的服役后期状态变化有所区别,主要体现在阻抗谱等效电路的不同。根据阻抗谱的变化特征,将厚度30μm涂层的服役过程划分成5个区间:初期渗水、腐蚀发生、Warburg扩散控制、腐蚀扩展、涂层失效;将厚度60μm涂层的服役过程划也分成5个区间:初期渗水、腐蚀发生和渗水受阻、Warburg扩散控制、有限层扩散控制、阻挡层扩散控制。因30μm的厚度太小,侵蚀性粒子对涂层的渗透比较容易,在涂层服役中后阶段,有向局部腐蚀和鼓泡剥离发展的倾向,防护性能持续下降,腐蚀指标持续上升。厚度60μm的涂层表现出良好的防护性能,中后期涂层的保护作用和腐蚀指标能够维持稳定。厚度60μm涂层浸泡1年后最大电化学腐蚀活性区面积不到0.12%,涂层孔隙率能够保持在10~(-8)左右。以菲克第二定律为基础推导出了涂层中水扩散动力学模型,根据该模型生成的图像可以形象地体现水在涂层的三维分布和动态变化,模型理论结果与实验数据吻合

Si衬底上外延3C-SiC薄层的XPS分析

采用HFCVD技术，通过两步CVD生长法，以较低生长温度，在Si(111)和Si(100)衬底上同时外延生长3C-SiC获得成功.生长源气为CH4+SiH4+H2混合气体，热丝温度约为2000℃，碳化和生长时基座温度分别为950℃和920℃，用X射线衍射(XRD)和X射线光电子能谱(XPS)等分析手段研究了外延层的晶体结构、组分及化学键能随深度的变化.XRD结果显示出3C-SiC薄层的外延生长特征，XPS深度剖面图谱表明薄层中的组分主要为Si和C，且Si/C原子比符合SiC的理想化学计量比，其三维能谱曲线进一步证明了外延层中Si2p和与Cls成键形成具有闪锌矿结构的3C-SiC. 3C-SiC epilayers have been grown on Si (111) and (100) substrates simultaneously at temperature lower than 1000°C by HFCVD method using SiH+CH 4+H 2 source gasses. The thin films were characterized by X-ray diffraction (XRD) and X-ray photoelectron spectroscopy (XPS), etc.. XRD results reveal the epitaxial growth feature of 3C-SiC on Si substrates. XPS depth profile indicated that the compositions of the epilayer were Si and C, and the Si/C atomic ratio to be stoichiometric. The 3D XPS further shows that Si-C bonds were formed in the epilayer

nc-Si:H/c-Si量子点二极管中的共振隧穿特性分析

采用常规PECVD工艺，在N型单晶硅(c-Si)衬底上沉积薄层纳米Si(nc-Si)膜，并进而制备了nc-Si:H/c-Si量子点二极管。在10～100K温度范围内实验研究了该结构的σ-V和I-V特性。结果指出，当反向偏压为-7～-9V时，无论在σ-V还是在I-V特性曲线上都观测到了近乎等间距的量子化台阶，此起因于在nc-Si:H膜中具有无序排布且粒径大小不一的Si微晶粒中，由于微晶粒中能级的量子化而导致的共振隧穿现象。如果进一步改进膜层生工艺，以制备出具有趋于有序排布、尺寸均匀和粒径更小的Si微晶粒的nc-Si:H膜，有可能实现更高温度范围内的共振隧穿

Si衬底上外延3C-SiC薄层结构及光学常数分析

采用熱絲化學氣相淀積生長法，在Ｓｉ襯底上外延生長３Ｃ－ＳｉＣ薄層獲得成功．生成源為ＣＨ４＋ＳｉＨ４＋Ｈ２混合氣體，熱絲溫度約為１８００～２０００℃，碳化和生長時襯底溫度低于１０００℃．用Ｘ射線衍射，變角橢偏法等分析手段研究了外延層的晶體結構和光學常數．Ｘ射線衍射結果顯示出３Ｃ－ＳｉＣ薄層的外延生長特征，變角橢偏法測量出外延層的折射率為２．６８６，光學常數隨深度變化曲線表明薄層結構分布與襯底晶向有

Meta-analysis of Intramedullary Nail and Plate Fixation in Treatment of Distal Tibial Fractures

目的:探讨髓内钉与钢板内固定治疗胫骨远端骨折的疗效差异。方法:运用计算机检索PubMed,Cochrane Library,EMBASE,BIOSIS,Ovid databases,中国知网(CNKI)、维普数据库、万方数据库以及手工检索相关文献。收集1990年1月1日至2015年6月1日国内外公开发表的有关髓内钉与钢板内固定治疗胫骨远端骨折的临床疗效对比随机对照的英文与中文文献。严格评价纳入研究的方法学质量并提取资料,统计软件采用RevMan5.1.0.结果:共纳入13个随机对照实验文献,其中英文文献8篇,中文文献5篇。髓内钉治疗组440例,钢板内固定治疗组409例。根据改良后的Jadad评分标准,有6篇文献为高质量文献,7篇文献为低质量文献。Meta分析结果显示,钢板内固定治疗胫骨下段骨折的手术时间少于髓内钉内固定时间(WMD为-10.39,95%CI为-17.59~-3.19,P=0.005);骨折愈合时间短于髓内钉内固定时间(WMD为-5.20,95%CI为-4.11~-0.15,P=0.03),AOFAS评分比髓内钉分数更高(WMD为2.08,95%CI为1.52~2.64,P<0.001);其总的并发症差异无统计学意义(RR为0.75,95%CI为0.47~1.21,P=0.24),但是感染发生率比髓内钉组高(RR为0.59,95%CI为0.36~0.98,P=0.04)。结论:总体而言,髓内钉与钢板内固定各有优缺点,在软组织条件允许的情况下可以优先考虑选择钢板内固定治疗,尤其是应用经皮锁定钢板。Objective:To explore the efficacy difference between intramedullary nail and plate fixation in treating distal tibial fractures.Methods:Relevant references of intramedullary nail and plate fixation treating distal tibial fractures from January 1,1990 to June 1,2015 were searched through PubMed,Cochrane Library,EMBASE,BIOSIS,Ovid databases,China HowNet(CNKI),VIP database and Wanfang database.The data of the study were strictly evaluated,using RevMan5.1.0for statistical analysis.Results:13randomized control trial references were enrolled,including 8English references and 5Chinese references,440 cases in the intramedullary nail group and 409 cases in the plate fixation group.According to the improved Jadad score standard,there are 6references in high-quality and 7in low-quality.Meta-analysis showed that the operation time of plate fixation is less than intramedullary nail fixation(WMD=-10.39,95% CI=-17.59~-3.19,P=0.005).The fracture healing time of plate fixation is shorter than that of intramedullary nail fixation(WMD=-5.20,95% CI=-4.11~-0.15,P=0.03).The AOFAS score in plate fixation group is higher than that in intramedullary nail fixation group(WMD=2.08,95%CI=1.52 P<0.001).The overall complication has no significant difference in two groups(RR=0.75,95%CI=0.47~1.21,P=0.24),but the infection rate in the plate fixation group is higher than that in the intramedullary nail group(RR=0.59,95%CI=0.36~0.98,P=0.04).Conclusion:There are advantages and disadvantages in intramedullary nail and plate fixation.It prefers to consider plate fixation if the soft tissue permits,especially percutaneous locking plate applications