单晶6H-SiC经氦离子辐照及退火后的微观组织研究

在400℃下对单晶6H-SiC进行了400keV氦离子辐照,辐照剂量为1×1016He+/cm2,随后在1200和1500℃退火30min。采用透射电子显微镜和扫描电子显微镜对辐照态和退火态SiC进行微观结构观察与分析。结果表明,单晶6H-SiC在400℃经氦离子辐照后,仅观察到由辐照引起的位移损伤带,而未观察到明显尺寸的氦气泡。但经1200℃退火30min后,在辐照损伤区域形成了呈血小板状的气泡簇,其主要分布在（0001）晶面上,少量形成在（1120）晶面。辐照未在6H-SiC表面上形成明显尺寸的缺陷,而经1200℃退火30min后,SiC表面出现大尺寸的起泡和凹坑,进一步提高退火温度至1500℃时,表面起泡和形成凹坑更严重,并产生了大量裂纹。本研究同时对微观结构演化的机理进行了分析与讨论。中国工程物理研究院NPL,CAEP项目资助(2015AB001

胰腺神经内分泌肿瘤CT征象与SSTR2、VEGFR2及MGMT表达的关系

目的探讨胰腺神经内分泌肿瘤（pNENs）的CT征象与生长抑素2型受体（SSTR2）、血管内皮生长因子2型受体（VEGFR2）及O6-甲基鸟嘌呤-DNA甲基转移酶（O6-methylguanine-DNA-methyltransferse，MGMT）表达的关系。方法收集2010年1月至2020年11月本机构经术后病理证实为pNENs 86例，所有患者术前均行增强CT检查，术后行SSTR2、VEGFR2、MGMT免疫组化检查。回顾性分析pNENs的CT特征与SSTR2、VEGFR2及MGMT表达情况的相关性，采用独立样本t检验或非参数检验及ROC曲线进行分析。结果SSTR2（+）组及SSTR2（-）组在性别、边界的差异有统计学意义（P<0.05），VEGFR2（+）组及VEGFR2（-）组在性别、最大径线≥20 cm、边界、强化率（动脉期、静脉期）及CT值比率（静脉期）的差异有统计学意义（P<0.05），MGMT（+）组及MGMT（-）组在最大径线≥20 cm、最大径、边界、强化率（动脉期）及CT值比率（平扫、动脉期、静脉期）的差异有统计学意义（P<0.05）。CT征象评估SSTR2、VEGFR2及MGMT阳性表达的AUC分别为0.847、0.761和0.749，灵敏度分别为87.18%，76.67%和90.48%，特异度分别为87.50%，73.91%和57.14%。结论CT征象联合临床特征可以反映pNENs中SSTR2、VEGFR2及MGMT的表达