Study of photovoltaic characteristics of SnO_2/Si

采用CVd方法在硅单晶上制备SnO2薄膜，对不同硅衬底及在不同温度下淀积SnO2制得SnO2/SI进行光电压谱的测量，得出最佳的制备温度；采用类金属半导体接触模型，推导出有关计算公式，计算得出其介面复合速度和异质结势垒宽度等参数。Tin oxide Films are deposited by CVD method on single crystal silicon.The eFFects of diFFerent deposition temperatures and substrates on the photovoltaic characteristics are studied.Using the metal-semiconductor contact model,the calculation Formulas are derived.The diFFusion length of minority carrier,interFace recombination speed and heterojunction barrier width are calculated.国家自然科学基金;福建省科学基

SnO2/Si异质结的制备及光伏特性研究

本文采用CVD方法在硅单晶上制各SnO2薄膜，对不同制备条件：不同硅衬底温度及不同SnCl4溶液浓度下制备SnO2/Si,对其光伏特性进行测量，的出最佳制备条件。由于SnO2的禁带宽度大大于Si的禁带宽度，在可见光及近红外区内，SnO2层是透明的；SnO2层是一导电层，因此对SnO2/Si可认是类似于金属与半导体接触。采用金属半导体接触模型，在小讯号稳定光照和一定的边界条件下，解少子连续性方程，的出光生载流子浓度分布和光电压的计算公式。由等光强（等光子数）下测量的光电压值计算出少子扩散长度；由曲线拟合的出硅的介面复合速度和异质结的势垒宽度等参数，并对拟合结果进行讨论。对SnO2薄膜进行电镜扫描...In this paper, tim oxide films are deposited by CVD method on single crystal silcon. The effect of different deposition parameters, such as different substrate temperatures and SnCl4 solutions, on the photovoltaic properties are studied. For the energy gap of SnO2 is much higher than that of silicon, tin oxide layer is transparent in the unsible and near infrared ranges and photo excitation mainly...学位：理学硕士院系专业：物理与机电工程学院物理学系_半导体物理与器件学号：1990320

我国随机振动研究近10年来的进展

该文回顾了中国振动工程学会随机振动专业委员会成立后的10年间我国学者在随机振动领域所进行的理论、应用技术研究方面取得的一些重要进展。着重介绍了随机非线性响应时域积分方法与空间有限元结合的随机动力有限元方法的发展；对随机振动与其他相关学科的交叉渗透进一步发展的前景也作了展望

玉米秸秆快速热解

在不同传热状态下进行了玉米秸秆粉料的热解气化实验，探索了玉米秸秆快速热解制生物油的工艺条件。结果表明：在４８０℃左右的温度下，实收４５％左右的液体产品。采用改进的固体热载体循环流化技术，秸秆粉料也能实现连续高温热解，不用富氧和蒸汽作流化剂，在７００℃以上获得了热值大于１１ＭＪ／Ｎｍ＾３的生物煤气

玉米秸秆快速热解

在不同传热状态下进行了玉米秸秆粉料的热解气化实验，探索了玉米秸秆快速热解制生物油的工艺条件. 结果表明：在480℃左右的温度下，实收45%左右的液体产品. 采用改进的固体热载体循环流化技术，秸秆粉料也能实现连续高温热解，不用富氧和蒸汽作流化剂，在700℃以上获得了热值大于11 MJ/Nm3的生物煤气

埋氧层注氮工艺对部分耗尽SOI nMOSFET特性的影响

研究了埋氧层中注氮后对制作出的部分耗尽SOInMOSFET的特性产生的影响.实验发现,与不注氮的SIMOX基片相比,由注氮SIMON基片制作的nMOSFET的电子迁移率降低了.且由最低注入剂量的SIMON基片制作的器件具有最低的迁移率.随注入剂量的增加,迁移率略有上升,并趋于饱和.分析认为,电子迁移率的降低是由于Si/SiO2界面的不平整造成的.实验还发现,随氮注入剂量的提高,nMOSFET的阈值电压往负向漂移.但是,对应最低注入剂量的器件阈值电压却大于用SIMOX基片制作出的器件.固定氧化物正电荷及界面陷阱密度的大小和分布的变化可能是导致阈值电压变化的主要因素.另外发现,用注氮基片制作出的部分耗尽SOInMOSFET的kink效应明显弱于用不注氮的SIMOX基片制作的器件