甘白杂交创制早熟油菜新种质的研究

为拓宽甘蓝型油菜遗传基础,解决甘蓝型油菜育种中早熟资源贫乏的问题,利用甘蓝型油菜(Brassica napus,2n=4x=AACC=38)与白菜类蔬菜(Brassica campestris,2n=2x=AA=18)的大白菜、小白菜和紫菜苔进行杂交,采用系谱法,经过连续10年的选择,培育出10个稳定的早熟优良品系,代号D1~D10。这些新种质的生育期比对照早2.5~9.5天,品质符合国家双低油菜标准,农艺性状各具特色。由于新种质拥有白菜A染色体的遗传背景,在杂交组合测配中,用这10个新种质比用非新种质材料配制杂交组合早熟,且获得高产组合的概率高出1倍以上

MOCVD和GSMBE生长Ga（0.5）In（0.5）P 外延层中有序结构的研究

用MOCVD在(100)、GSMBE在(100)和(111)B GaAs上生长了GaInP外延层.PL测试表明,(100)衬底上GaIn PL 峰的能量比计算的带隙分别小43(GSMBE生长)和104meV(M(CVD生长).用Kurtz等人的模型对MOCVD和GSMBE生长的GaInP中有序度的不同进行了解释.并讨论了衬底晶向对GaInP中有序程度的影响

GaN压电效应对载流子浓度的影响

在NH_3源GSMBE生长的GaN中观察到较大的双轴张应变。随着张应变的增加光致发光谱带边峰展宽，Hall测试得到的背景电子浓度增大。该文应用GaN的压电效应对此进行了解释

低温Si-GSMBE中Si_2H_6的热裂解及对Si生长的影响

为提高外延SiGe/Si HBT材料中Si发射极的生长速率，研究了Si_2H_6预热温度对Si生长速率的影响，结果表明在一很窄的温区内，Si的生长速率提高了一倍，进一步升温Si的生长速率迅速下降。用四极质谱仪对低温Si-GSMBE中Si_2H_6的热裂解过程进行了研究，对该现象做了解释

GSMBE生长SiGe/Si材料的原位掺杂控制技术

在特定温控下对掺杂气体分子的状态和活性进行控制，建立了一套具有自主知识产权的气源分子束外延工艺生长SiGe/Si材料的原位掺杂控制技术。采用该技术生长的SiGe/Si HBT外延材料，可将硼杂质较好地限制在SiGe合金基区内，并能有效地提高磷烷对N型掺杂的浓度和外延硅层的生长速率，获得了理想N,P型杂质分布的SiGe/Si HBT外延材料