用于空间探测的静电分析器轻量化设计与验证

针对空间探测载荷的轻量化需求，以空间等离子体探测的静电分析器为研究对象，进行了轻量化设计和验证。在材料及加工方式选择方面，充分利用增材制造这一新兴加工手段，打破传统轻量化设计时追求低密度材料的思路，对比多种材料及加工方式下设备重量及力学表现，确定铝合金为主要材料，3D打印为主要加工方式。在结构设计方面，基于3D打印加工的优势，在减小设备各部分结构厚度的同时，适当设置加强筋以解决薄壁在后处理时易产生形变的问题。采取上述方案设计的设备质量减少至1.2 kg，比使用镁合金及传统加工方式的设备质量（2.2 kg）下降45%。以典型航天任务的鉴定级力学试验条件作为输入，开展了设计模型的有限元仿真，完成实物加工装配以及力学试验，验证了该设计的抗力学性能

自我-他人决策的风险偏好：收益分配框架的影响

框架效应已得到普遍证实:决策偏好会受到对结果或属性描述方式的影响。在金融领域,个体经常为自己和他人决策。而在两人情境中,当决策结果平均分配给两个人时可以用两种不同的方式来表述,也即分配框架:1.自我分配框架:为自己做决策,他人分得一半结果;他人分配框架:为他人做决策,自己分得一半结果。本研究包含4项实验,提供了一致的证据表明,人们在自我分配框架下比他人分配框架下决策时更加风险寻求。在实验1中,研究假设得到了证实,同时研究表明分配框架效应只存在于收益情境,而非损失情境中。实验2重复了实验1的研究结果,同时排除了决策对象(即为谁做决策)这一可能的其他解释。实验3旨在在实验室中模拟两种真实的分配框架情境,同时采用真实的金钱激励,再次重复研究结果。实验4通过改变分配给决策者的收益百分比,将研究结果扩展到其他分配情境中。我们认为风险偏好的差异是由参考点所引起的。由于决策对象的差异(对自己和对他人),个体的参考点会发生变化。因此,在不同分配框架下,给定的分配结果(分得一半)会被个体视为相对收益和相对损失,进而影响个人的风险偏好。分配框架的发现对自我-他人决策的研究有着重要的研究价值。</p

GaN基肖特基结构紫外探测器

在蓝宝石(0001)衬底上采用低压金属有机物化学气相沉积(MOCVD)方法生长GaN外延层结构,以此为材料制作了GaN基肖特基结构紫外探测器.测量了该紫外探测器的暗电流曲线、C-V特性曲线、光响应曲线和响应时间曲线.该紫外探测器在5V偏压时暗电流为0.42nA,在10V偏压时暗电流为38.5nA.在零偏压下,该紫外探测器在250nm～365nm的波长范围内有较高的响应度,峰值响应度在363nm波长处达到0.12A/W,在365nm波长左右有陡峭的截止边;当波长超过紫外探测器的截止波长(365nm左右),探测器的响应度减小了三个数量级以上.该紫外探测器的响应时间小于2μs

Development on Hydriding/Dehydriding Kinetics of Mg Nano-materials for Hydrogen Storage

综述近十年来国内外有关纳米镁储氢材料吸放氢动力学的研究现状和发展趋势.众多研究表明,应用高能球磨法制备纳米镁复合储氢材料,并以过渡金属氧化物为催化剂,或者用ABx型储氢合金与镁复合,都能显著改善镁的吸放氢动力学性能.The development of Mg nano-materials for hydrogen storage in the recent decade has been reviewed in this paper.It was shown the Mg nano-powders prepared by high-energy ball milling showed promising hydriding and dehydriding performance with the transition metal oxides and other types of hydrogen storage alloys(ABx)as the catalysts.作者联系地址：南开大学新能源材料化学研究所,南开大学新能源材料化学研究所,南开大学新能源材料化学研究所,南开大学新能源材料化学研究所,南开大学新能源材料化学研究所 天津300071,天津300071,天津300071,天津300071,天津300071Author's Address: Institute of New Energy Material Chemistry,Nankai University,Tianjin 300071,Chin

Si(111)衬底无微裂GaN的MOCVD生长

采用AlN插入层技术在Si(111)衬底上实现无微裂GaN MOCVD生长.通过对GaN外延层的a,c轴晶格常数的测量,得到了GaN所受张应力与AlN插入层厚度的变化关系.当AlN厚度在7～13nm范围内,GaN所受张应力最小,甚至变为压应力.因此,GaN微裂得以消除.同时研究了AlN插入层对GaN晶体质量的影响,结果表明,许多性能相比于没有AlN插入层的GaN样品有明显提高