提高MZI电光调制器速度和效率的电极结构

一种提高MZI电光调制器速度和效率的电极结构，包括：一MZI调制器结构，包括第一调制臂和第二调制臂，该第一和第二调制臂为脊形光波导结构，该第一和第二调制臂分为第一平板区和第二平板区及第一内脊区和第二内脊区’，在第一和第二内脊区两旁的第一和第二平板区分别有第一、第二、第三和第四掺杂区域，该第一、第二、第三和第四掺杂区域在第一和第二平板区时为PIN电学调制结构；在第一和第二调制臂内侧相邻的第二和第三两个掺杂区域用金属导线连接在一起，形成高频驱动电路的第一极，在另外第一和第四两个掺杂区域用金属导线连接在一起，形成高频驱动电路的第二极；一高频驱动电路，该高频驱动电路的两端分别与高频驱动电路的第一、二极相连

脊型光波导和倒锥耦合器集成的制作方法

一种脊型光波导和倒锥耦合器集成的制作方法，包括如下步骤：步骤1：在衬底上旋涂一层光刻胶，利用光刻技术形成第一掩膜图形，该第一掩膜图形表面的一侧为矩形另一侧为锥形；步骤2：利用刻蚀技术将掩膜图形长方向两侧的衬底刻蚀掉，刻蚀深度小于衬底的厚度，在掩膜图形两侧形成平板区；步骤3：在衬底上再旋涂一层光刻胶，利用光刻技术在掩膜图形的矩形区及其两侧的平板区形成第二掩膜图形；步骤4：利用刻蚀技术将掩膜图形的锥形部分的两侧平板区刻蚀掉；步骤5：去掉第一及第二掩膜图形，完成器件的制作

SOI亚微米脊型光波导倒锥耦合器免刻蚀氧化制作方法

一种SOI亚微米脊型光波导倒锥耦合器免刻蚀氧化制作方法，包括：在SOI的顶层硅上氧化一层二氧化硅层；通过光刻工艺，在二氧化硅层上面形成掩膜图形，该掩膜图形的一端为矩形，另一端为锥形通过刻蚀工艺，将没有掩膜图形保护的二氧化硅层刻蚀，刻蚀后形成被掩膜图形保护的二氧化硅的矩形区域和锥形区域；去掉SOI的顶层硅上遗留下的掩膜图形，形成样品；对上述的样品进行氧化，将被刻蚀过的二氧化硅层下面的SOI的顶层硅，氧化到预定高度，从而形成脊型波导的平板区；被二氧化硅层的矩形区域保护的SOI的顶层硅，形成脊型波导的内脊区；而被二氧化硅层的锥形区域保护的SOI的顶层硅，形成和内脊区自然过渡连接的条形波导倒锥结构，完成脊型波导和倒锥耦合器的自然集成