抗人死亡受体5单链抗体ZF1对鼠H22肝癌细胞的作用分析

目的:研究抗人死亡受体5单链抗体ZF1对H22肝癌细胞体内外抑制增殖作用。方法:MTT法检测ZF1对H22肝癌细胞体外杀伤作用,流式细胞术检测ZF1诱导H22的凋亡率,建立H22移植瘤模型,随机分为PBS组、ZF1组、EPI组和ZF1/EPI联合组四组。观察肿瘤生长和小鼠体重变化情况。治疗13天后分离肿瘤组织,进行HE染色检查、TUNNEL法检测细胞凋亡。结果:体外实验显示:ZF1可抑制H22细胞的增殖,呈剂量依赖性,抑制率最高为84.5%。体内实验结果显示单独应用ZF1或联合应用ZF1/EPI时,肿瘤增长受到明显抑制。HE染色和TUNNEL分析结果表明ZF1可有效诱导肝癌肿瘤凋亡,ZF1/EPI联合组效果更明显,而对正常肝细胞无毒性。结论:单链抗体ZF1具有良好抑制H22细胞增殖的作用。ZF1和EPI联合应用效果更明显

基于~1H-NMR的中西药干预Wilson病铜负荷大鼠肝损伤代谢组学研究

目的从代谢组学角度探讨中西药对Wilson病(WD)铜负荷大鼠模型肝损伤代谢网络的干预机制。方法 105只大鼠按照随机数字表分为7组,每组15只,分别为对照组、模型组、肝豆灵组、青霉胺组、谷胱甘肽组、SB203580组、SB203580肝豆灵组,按照文献方法复制Wilson病铜负荷大鼠模型,共计12周。从第7周开始,各干预组予以等效剂量相应药物,对照组和模型组予以等容量生理盐水灌胃,直至模型复制结束。采用~1H-NMR代谢组学技术结合多元统计方法,阐述Wilson病肝损伤的肝脏代谢轮廓变化及分析不同治法对其生物标志物的干预作用。结果 WD铜负荷大鼠模型肝脏发生明显纤维化改变,不同方法干预后肝纤维化可不同程度减轻。WD铜负荷大鼠模型肝脏酮体代谢含量升高,肌酸含量下降;青霉胺干预后,谷胱甘肽、天冬氨酸盐、肌酸、氨基酸、缬氨酸、酪氨酸、组氨酸、嘧啶、嘌呤含量上升;SB203580肝豆灵组,肌酸上升,甲胺下降;谷胱甘肽及SB203580组,谷胱甘肽、缬氨酸、组氨酸、嘧啶、嘌呤含量上升。结论中西医不同干预方法影响WD铜负荷大鼠肝脏组织谷胱甘肽、肌酸、酮体、氨基酸、嘧啶、嘌呤代谢,并有调节以上小分子物质代谢紊乱的作用,进而对WD铜负荷大鼠肝损伤有一定的修复作用。国家自然科学基金面上项目(No.81774299)安徽省自然科学基金面上项目(No.170805MH199)~

国有资产监督管理中产权管理工作的浅析

在现代化社会的发展中,国有资产监督管理机构日 益 完 善,产 权 管 理 工 作 是 关 键 的 工 作 内 容,由 国 家 针 对 企 业 国 有资产状况进行直接、有效的管理。随着社会的发展,企业国有产权管理工作已 成 为 现 代 国 有 资 产 监 督 管 理 机 构 中 的 重 要 内 容之一。但是,在现有的系统运行过程中,会遇到很多难题,国有资产监督管理 机 构 需 要 对 其 进 行 深 入 分 析,采 取 相 应 的 措 施 进行优化、完善,文章针对国有资产监督管理中产权管理工作的相关内容进行了分析。</jats:p

大数据时代下航天企业管理和发展的思考

随着云计算技术的日趋完善，人们逐渐进入了大数据时代。航天企业在大数据时代背景下迎来了新的发展契机，通过对大数据的解读，准确判断人们对于出行的方式和选择，形成科学严谨的企业管理制度，对航天企业在大数据时代下的发展具有重要意义。</jats:p

瓦面进油对推力轴承承载能力的影响分析

基于FLUENT软件建立了推力轴承瓦面进油的CFD分析模型，分析了瓦面进油槽压力、位置以及宽度对推力轴承承载能力的影响规律。研究表明，合理的瓦面进油设计有利于提高推力轴承的承载能力。当进油槽压力达到一定数值后对油膜压力具有积极的增压作用；进油槽位置应靠近推力瓦入油边侧；进油槽宽度对承载能力的影响很小。研制了采用瓦面进油的某型重载推力轴承装置，开展了性能试验和1 100 h长跑试验，为推力轴承润滑系统的设计提供了参考

平面相变存储器的制备方法

一种平面相变存储器的制备方法，包括：在衬底上依次生长一层电热绝缘材料层、相变材料层和基底材料层；去除基底材料层的四边，形成图形作为制备侧墙的基底；在该相变材料层的上面和基底材料层的表面及侧面淀积侧墙材料层；去除基底材料层上表面的和相变材料层表面的侧墙材料层，形成侧墙；去除基底材料层，只保留纳米尺寸的侧墙；去掉除了侧墙底部以外的所有相变材料；在该侧墙的一条边上搭上一条制作电极的金属层；在金属层上制备一层绝缘材料层；抛光表面直至磨到电热绝缘层上的金属表面，从而割断金属层形成中间夹有相变材料层的nano-gap电极；最后在nano-gap电极上淀积一层绝缘材料层，再在nano-gap电极两边的金属上开孔并引出电极，即形成平面相变存储器

平面相变存储器的制备方法

一种平面相变存储器的制备方法，包括：在衬底上依次生长一层电热绝缘材料层，相变材料层和基底材料层；去除基底材料层的四边，形成基底；在相变材料层的上面和基底材料层的表面及侧面淀积侧墙材料层；去除基底材料层上表面的和相变材料层表面的侧墙材料层，在基底材料层的侧面将形成高和宽均为纳米尺寸的侧墙；去除基底材料层，只保留纳米尺寸的侧墙；去掉除了侧墙底部以外的所有相变材料，从而形成由侧墙和相变材料层构成的叠层侧墙；在该侧墙的一条边上搭上一条制作电极的金属层；去除侧墙以及侧墙表面上的金属层，从而形成中间夹有相变材料层的nano-gap电极；最后淀积一层绝缘材料，再在nano-gap电极两边的金属层上开孔并引出电极，完成平面相变存储器的制作