半导体的检测与分析

本书的内容与1984年第一版的内容完全不同。本书介绍补充了这二十年来半导体科研、生产中最常用的各种检测、分析方法和原理。全书共分7章，包括引论，半导体的高分辨X射线衍射，光学检测与分析，表面、薄膜成分分析，扫描探针显微学在半导体中的运用，透射电子显微学及其在半导体中的应用和半导体深中心的表征。书中根据实践列举了一些实例，同时附有大量参考文献和常用的数据，以便读者进一步参考和应用

金属/半导体的应用与基础研究近况

文章从应用与基础研究两个方面对金属/半导体接触这一领域的近况作一简要评述，同时对这领域的前景提出一些看法

忆N.F.Mott教授

读了《物理》杂志34卷第9期吴自勤和阎守胜两位同志写的关于N.F.Mott教授的纪念文章,很有感触,这使我回忆起Mott教授的一些往事.从这些往事中我深受教育,所以多年来未能忘怀

硅化物形成条件对Pt硅化物/硅势垒的影响

对PtSi/N-Si和PtSi/P-Si两种肖特基势垒的形成条件与势垒高度之间的关系进行了详细研究。从理论上分析了在退火过程中引入的影响肖特基势垒特性的各种因素，同时指出了获得理想肖特基势垒的退火条件

Pt/Si界面反应与肖特基势垒形成的研究

详细研究了Pt/Si和Pt硅化物/Si界面的反应性质、原子结构及杂质/缺陷分布，讨论了它们对肖特基势垒的形成、势垒特性和势垒高度的影响

（Pt及其硅化物）/硅界面的深能级研究

利用深能级瞬态谱(DLTS), 详细研究了(Pt及其硅化物)/Si界面上存在的各种深能级缺陷中心,并分析了引起这些缺陷的原因及与界面原子结构的关系