The Artist Analysis of Yongping Huang’s Art Creation

黄永砯，1954年出生于中国福建厦门。1989年以前就在中国前卫艺术运动中声名显赫，其代表作品《和〈现代艺术简史〉在洗衣机搅拌两分钟》入选英国《20世纪艺术史》。1989年定居法国巴黎。曾代表法国政府参加第48届威尼斯双年展。由于其成绩突出，被法国文化部授予“文学艺术骑士”勋章，2000年联合国教科文组织授予他“文教科学推广艺术奖”，成为国际公认杰出艺术家。被认为是华人顶尖级艺术家中知识分子与哲学气质型的代表。其作品中透露出哲学、文化、政治思考。他用自己的创作挑战传统艺术观念、信仰以及逻辑，将中西方的文化观念符号并置，以展现其中的内在紧张与冲突关系。作为一个单纯以学术上的成功而引起国际瞩目的华...Yongping Huang was born in Xiamen,Fujian in 1954.Early before 1989, Yongping Huang is well-known in Chinese avant-garde art history,and his representative art creation “The History of Chinese painting and modern painting mixing in the washing machine two minutes” is very famous in Chinese modern art history.In 1989 he Settled in Paris.He once represented the French government participated in the 4...学位：文学硕士院系专业：艺术教育学院美术系_美术学学号：1862008115351

破除“自我”的幻象——简论拉康精神分析学对主体概念的解构

过去的意识哲学认为\"自我\"作为主体是理性的,而且能够在与他人、与世界的关系中展开自己的意义,然而这仅仅是从有限的思路来讨论问题,忽视了主体所处的历史文化环境的结构性作用。弗洛伊德的人格结构让\"自我\"的非理性层面得到一定程度的解释,与之相关的\"无意识\"和欲望也都与构建人格的\"力比多\"有关。拉康的精神分析学结合了索绪尔的语言学的分析方法,通过对弗洛伊德关于\"无意识\"和\"欲望\"的观点予以重新解释,颠覆了传统的主体\"自我\"的形象,否定\"自我\"的建构性与合法性,用一种反讽的方式揭示出一个\"异化\"的\"自我\"能指概念,这样的\"自我\"不仅始终无法满足其对象的欲望,同时也是属于一种语言和文化结构性的无意识的自欺,是一个空洞的幻象。\"自我\"的本质被潜在地证明为一种不可能

闽南与台湾现代地域建筑屋顶造型手法研究

以“闽南屋顶”这一建筑形式为着眼点,分析了闽台两地具有代表性的闽南系现代地域建筑实例,通过对各种手法的归纳分类,对闽南地域建筑实践起到了承前启后的作用

A research for the design technique of regionally residence in current China

我国有着极为深厚的传统居住建筑文化，在几千年自成体系的发展中，各地因气候人文方面的影响，又形成了璀璨多姿的地域民居文化。由于我国特殊的历史原因，在从传统民居到现代居住建筑的纵向演变存在断层。可喜的是，近年来随着国力的增强，建筑界从传统民居中挖掘寻求设计语言，来延续中国传统民居文脉。寻求既符合现代生活方式，又能满足传统家园感的“中国式居住”，“地域化居住”，已经成为许多建筑师实践的目标。在住宅市场上出现的一批优秀的地域化住区作品，也已经成为一支与西方古典风格，现代风格并驾齐驱的新生力量，并引领中高档住宅市场，得到大众的认同与青睐。本文将从传统地域民居的空间与造型特质出发，通过分析若干当代住区地域...There is great traditional residence culture in China, in the development of several thousand years; every regions of china have its own residence cultures. But because of some historical reasons, the traditional regional residence didn’t develop to the modern Chinese residence styles. At this years, because of the development of national power, the Chinese architects search design method from the...学位：工学硕士院系专业：建筑与土木工程学院建筑系_建筑设计及其理论学号：20043501

双能谷效应对N型掺杂Si基Ge材料载流子晶格散射的影响

性能优越的Si基高效发光材料与器件的制备一直是Si基光电集成电路中最具挑战性的课题之一.Si基Ge材料不仅与成熟的硅工艺相兼容,而且具有准直接带特性,被认为是实现Si基激光器最有希望的材料.对Si基Ge材料N型掺杂的研究有利于提示出其直接带发光增强机理.本文研究了N型掺杂Si基Ge材料导带电子的晶格散射过程.N型掺杂Si基Ge材料具有独特的双能谷（Γ能谷与L能谷）结构,它将通过以下两方面的竞争关系提高直接带导带底电子的占有率:一方面,处于Γ能谷的导带电子通过谷间光学声子的散射方式散射到L能谷;另一方面,处于L能谷的导带电子通过谷内光学声子散射以及二次谷间光学声子散射或者直接通过谷间光学声子散射的方式跃迁到Γ能谷.当掺杂浓度界于1017cm-3到1019cm-3时,适当提高N型掺杂浓度有利于提高直接带Γ能谷导带底电子占有率,进而提高Si基Ge材料直接带发光效率.国家自然科学基金青年基金(批准号:61604041);;福建省自然科学基金青年基金(基金号:2016J05147);;福建省教育厅2017年高校杰出青年科研人才培育计划项目;;福建工程学院校科研启动基金(批准号:GY-Z14073)资助的课题~

形成丙型肝炎病毒负链复制体的相关蛋白的分析

【目的】确定丙型肝炎病毒(HCV)非结构蛋白NS5B 以及肝母细胞瘤株HepG2 胞浆提取物中的宿主蛋白与 HCV 负链RNA 3′末端的特异性结合作用。【方法】用蛋白-核酸紫外交联试验分别检测NS5B 以及HepG2 胞浆提取物中的宿 主蛋白与HCV 负链RNA 3′末端的结合作用, 用非同源RNA 和非同源蛋白作为竞争物分析这种结合的特异性。【结果】 NS5B 以及宿主细胞内一约45 ku 的蛋白质(简称P45)均可与HCV 负链RNA 3′末端特异性结合。【结论】NS5B 和P45 是 HCV 负链RNA 3′末端复制体的两个成分

SIRT7基因低表达胶质瘤细胞株代谢特征的NMR分析

肿瘤是一种代谢疾病,癌基因表达对肿瘤细胞代谢的影响是目前肿瘤研究的热点之一.本文利用基于核磁共振氢谱(~1H NMR)的代谢组学方法对癌基因SIRT7低表达胶质瘤细胞株的代谢特征进行分析,寻找与SIRT7基因表达相关的特征性代谢物和代谢通路.分析结果表明,SIRT7基因低表达组与对照组细胞的代谢轮廓存在显著性差异,其细胞水溶性萃取物中有22种代谢物浓度发生明显变化.与对照组相比,SIRT7基因低表达胶质瘤细胞株中乳酸、甘氨酸、谷氨酸等12种代谢物浓度升高;缬氨酸、亮氨酸、赖氨酸等10种代谢物浓度降低.通路富集分析提示氨酰-tRNA生物合成、氨基酸代谢等代谢通路与SIRT7低表达密切相关.以上结果为进一步阐明癌基因SIRT7调控胶质瘤细胞代谢的作用机制提供了理论依据.厦门市科技计划社会发展项目(3502Z20184064

碎屑石榴石地球化学物源分析与解释:粒度的影响

单矿物地球化学分析是沉积物源分析研究的重要手段,运用广泛。沉积物中碎屑矿物的粒度组成,即水动力分选作用,是否影响到基于这种方法的物源解释,目前尚不清楚且受到的关注不多。通过研究柴达木盆地北缘地区第三系沉积物中的680颗碎屑石榴石（0.068～0.557 mm）的主量元素地球化学组成数据,解释了不同粒度的碎屑石榴石物源。结果显示,0.063～0.125 mm的碎屑石榴石的地球化学结果中Fe2+与Mn2+含量更高,表明其母岩的变质结晶程度较弱,故物源解释结果更可能为中—低级角闪岩相变沉积岩,而其他粒径的碎屑石榴石Ca2+与Mg2+含量更高,这说明其物源区的温压条件较前者高,因而物源解释结果为低级变质相,中酸性火成岩,榴辉岩等宽泛结果。这种碎屑石榴石粒度差异导致的地球化学组成的不同,说明碎屑石榴石的颗粒大小在一定程度上会影响物源解释结果。因此,在进行单矿物地球化学物源研究时,选取特定粒径（0.063～0.125 mm或0.125～0.25 mm）组成的碎屑矿物进行分析,可以消除水动力分选作用的影响,有助于获得更为准确的物源解释结果。国家自然科学基金项目(41806052);;\n福建省自然科学基金项目(2017J05067);;\n厦门大学校长基金项目(20720160114);厦门大学大学生创新创业训练计划项目(2017X0642)~

Schottky Barrier S /D Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistors with Ge /SiGe Heterostructure

制备了氧化铪(HfO2)高k介质栅SI基gE/SIgE异质结构肖特基源漏场效应晶体管(Sb-MOSfET)器件,研究了n型掺杂SI0.16gE0.84层对器件特性的影响,分析了n型掺杂SIgE层降低器件关态电流的机理。使用uHV CVd沉积系统,采用低温gE缓冲层技术进行了材料生长,首先在SI衬底上外延gE缓冲层,随后生长32 nM SI0.16gE0.84和12 nM gE,并生长1 nM SI作为钝化层。使用原子力显微镜和X射线衍射对材料形貌和晶体质量进行表征,在源漏区沉积nI薄膜并退火形成nIgE/gE肖特基结,制备的P型沟道肖特基源漏MOSfET,其未掺杂gE/SIgE异质结构MOSfET器件的空穴有效迁移率比相同工艺条件制备的硅器件的高1.5倍,比传统硅器件空穴有效迁移率提高了80%,掺杂器件的空穴有效迁移率与传统硅器件的相当。Si-based Ge /SiGe heterostructure Schottky barrier source and drain metal oxide semiconductor field effect transistors( SB-MOSFETs) with hafnium dioxide high-k gate were fabricated.The effect of the n-type doped Si 0.16 Ge 0.84 layer on the device performance was investigated,and the mechanism of the device off-state current reduction caused by the n type doping SiGe layer was analyzed.Firstly,Ge buffer was fabricated with low-temperature Ge buffer technique.Then a 32 nm Si 0.16 Ge 0.84 layer and a 12 nm Ge layer were grown on the Ge buffer in the same UHVCVD system.For comparative study, the 32 nm Si 0.16 Ge 0.84 layer was controlled undoped or n-type doped by P.For all samples,1 nm Si layer was grown to passivate the Ge surface.Atomic force microscopy and X-ray diffraction were used to characterize the surface morphology and crystal quality of the materials.NiGe / Ge Schottky junctions in source and drain were formed by nickel layer deposition and anneal.The fabricated Ge / SiGe heterosturctual MOSFET device without n-type doping shows 150% enhancement of the hole effective mobility over that of the control Si device and about 80% enhancement over the universal Si device.And the device with n-type doping shows a comparable hole effective mobility with the universal Si MOSFET device.国家自然科学基金资助项目(61036003;61176092); 国家重点基础研究发展计划(973计划)资助项目(2012CB933503;2013CB632103); 中央高校基本科研业务费资助项目(2010121056