광간섭 단층촬영을 이용한 게코 도마뱀 눈의 형태 측정

학위논문(석사)--서울대학교 대학원 :수의과대학 수의학과,2020. 2. 서강문.This study was conducted to provide images of anterior and posterior structures of the gecko eye using spectral-domain optical coherence tomography (SD-OCT). Eight ophthalmologically normal Tokay geckos (Gekko gecko) participated. Nose-cloaca distance and body weight were measured for each gecko. Tomographic images were obtained using SD-OCT without anesthetic or mydriatic agents. The central corneal thickness (CCT), the anterior chamber depth (ACD), and the length of the conus papillaris (CP) were manually measured using OCT images. The thickness of the retinal nerve fiber layer (RNFL) around the CP, and the retinal thickness in quadrants (superior, nasal, inferior, and temporal area) were automatically measured with OCT images. The mean values of the nose-cloaca distance and body weight were 13.8 ± 0.9 cm and 41.3 ± 9.0 g, respectively. The mean values of CCT, ACD, and CP length were 177.6 ± 20.9 µm, 1205.0 ± 79.9 µm, and 1546.4 ± 208.8 µm, respectively. The mean value of RNFL thickness was 52.0 ± 8.2 µm, and the thickest region was the superior region. The mean value of total retinal thickness was 202.5 ± 9.4 µm, and the thickest region was the temporal region. In conclusion, tomographic images of the anterior and posterior segments of the living gecko eye were obtainable using the OCT unit. Multiple retinal layers and anatomical features of the CP were identified.본 연구는 스펙트럼 영역 광간섭 단층촬영(spectral-domain optical coherence tomography; SD-OCT)을 이용하여 게코 도마뱀 눈의 전방 및 후방 구조 이미지를 평가하고자 실시하였다. 안과 질환이 없는 8마리의 토케이 게코 도마뱀을 대상으로 실험을 진행하였다. 게코 도마뱀들의 코에서 총배설강까지의 길이 및 체중을 측정하였고, 마취제나 산동제 투여 없이 SD-OCT를 이용하여 안구의 단층 이미지를 얻었다. 기기 내 프로그램을 사용하여 수동적으로 중심각막 두께, 전안방의 깊이 및 유두상 원추체(conus papillaris)의 길이를 측정하였다. 유두상 원추체 주변의 망막신경 섬유층의 두께와 전체 망막층의 두께를 사분면으로 나누어 자동으로 측정하였다. 1마리의 게코 도마뱀을 안락사한 뒤 안구를 적출하여 망막의 조직학적 평가를 진행하였다. 코에서 총배설강까지의 평균 길이는 13.8 cm, 평균 체중은 41.3 g으로 측정되었다. 중심각막 평균 두께는 177.6 ㎛, 전안방의 평균 깊이는 1205.0 ㎛, 유두상 원추체의 평균 길이는 1546.4 ㎛로 측정되었다. 망막신경 섬유층의 평균 두께는 52.0 ㎛였으며, 사분면 중 상부 영역에서 가장 두꺼웠다. 전체 망막층의 평균 두께는 202.5 ㎛였으며, 측두 영역에서 가장 두꺼웠다. 게코 도마뱀 망막층들의 OCT 단층 영상과 조직학적 분할은 상당히 일치하였다. 본 연구에서 OCT를 이용하여 살아있는 게코 도마뱀 안구 구조를 단층 촬영할 수 있었다. 게코 도마뱀 망막 및 유두상 원추체의 해부학적 특징이 확인되었다. 포유류 외에도 조류, 파충류 등의 다른 동물들에게도 OCT의 연구, 진단적 적용이 가능할 것으로 기대한다.INTRODUCTION 1 MATERIALS AND METHODS 3 1. Animals examined 3 2. OCT scanning 4 3. Central corneal thickness and anterior chamber depth 4 4. Retinal nerve fiber layer thickness, conus papillaris length and retinal thickness 5 RESULTS 7 1. Central corneal thickness and anterior chamber depth 10 2. Retinal nerve fiber layer thickness, conus papillaris length and retinal thickness 12 3. Histological evaluation 19 DISCUSSION 21 CONCLUSIONS 26 REFERENCES 27 ABSTRACT IN KOREAN 33Maste

RELALTIONSHIP BETWEEN THE DEPTH ACCESS HOLE AND PROSTHETIC COMPONENTS IN SCREW RETAINED IMPLANTS

A total of 605 implant fixture prosthesis delivered by 3 clinics and 2 laboratories were examined in this study, The object of this study was to determine the proper length of screw head. The depth of access hole were measured and compared to the type of fixture, abutment, gold screw and prosthesis. The results were as follows : 1 The average number of fixtures per patient were 2.97. 2. The number of fixture installed in the upper posterior area are 327(55.56 %), the upper posterior area 171 (28.25%). 3. The depth of access hole is 4.23 mm in shallow area, and 5.46 mm in deep area and the differences were 1.23 mm. 4. The average depth of the aceess hole of the UCLA abutment were 5.02 mm. 5. The number of 4-5 mm access hole depth were 60(22.39%) in abutment screw level and the number of 4-5 mm depth in fixture level were 101 (29.19%). 6. In the shape of screw head, hexed type were 576(95.21%), slotted type were 29(4.79%).본 논문에 있는 사항은 특허 출원(제 2000-82767)하여 사정중에 있고, 대한치과보철학회지에 실린 본 내용은 특허법에 의거 신규성을 보장받게 됨을 알립니다

GNSS를 이용한 지반 침하 계측 정확도 시험 평가

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DISPLAY PANEL USING LIGHT EMITTING DIODE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

본 발명은 발광 다이오드를 이용한 디스플레이 패널 및 그 제조방법에 관한 것으로, 발광 다이오드(LED)를 이용한 디스플레이 패널로서, 기판과, 상기 기판의 동일 평면상에 마이크로 크기의 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B) 발광 다이오드의 각 중심이 삼각형의 각 꼭지점에 배치된 형태로 서로 분리되어 이루어진 다수개의 단위화소를 포함하되, 상기 기판을 평면에서 보았을 때, 각 단위화소는 행 방향으로 일정간격 이격되게 삼각 및 역삼각 형태로 교대 배열되어 하나의 화소 세트를 구성하고, 상기 화소 세트는 열 방향으로 일정간격 이격되게 다수개로 배열되며, 각 단위화소에 구비된 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B) 발광 다이오드의 전류를 조절함으로써 상기 기판 상에 디스플레이 되는 색이 조절됨으로써, 저비용으로 생산성을 효율적으로 향상시킬 수 있을 뿐만 아니라 마이크로 화소화 또는 유연성 디스플레이 장치에 용이하게 적용될 수 있는 효과가 있다

유기금속 기상증착법을 이용한 질화갈륨 나노로드의 성장과 광전소자로의 응용

학위논문(박사) - 한국과학기술원 : 물리학과, 2015.2 ,[87 p :]질화물 반도체는 다른 반도체 물질에 비해 환경의 열적 o 화학적 o 물리적 변화에 영향을 덜 받으며 시간의 흐름에 따라 발광 세기의 변화가 적고, 합금 (alloy)의 함량을 조절하므로서 발광 파장을 적외선부터 자외선에 이르기까지 다양하게 조절할 수 있기 때문에, 광전소자로 이용하기 위한 많은 연구가 진행되어 왔다. 최근 질화물 반도체와 그 헤테로 (heterostructure) 구조의 성장 및 공정 기술의 발전은 발광 다이오드, 레이저, 트랜지스터, 센서, 태양전지 등의 고성능 광전소자의 상용화를 가능하게 만들었다. 그럼에도, 고효율과 저손실을 요구하는 미래기술로 사용되기에는 해결해야 하는 문제점이 여러 가지 남아 있다. 예를 들면, 평면 형태로 성장된 질화갈륨층은 이종기판과의 격자상수와 열팽창계수 차이로 인해 108 cm-2 이상의 전위 (dislocation) 밀도를 지닌다. 또한 질화갈륨층과 공기 사이의 경계면에서 전반사가 일어나 발광하는 빛이 효율적으로 빠져나가지 못하고 흡수되거나 소멸한다. 또한 종래의 c축에 성장된 InGaN/GaN 헤테로 구조는 압전 분극 (piezoelectric polarization)에 의해서 수 MV/cm에 이르는 큰 내부 전기장을 포함하게 되어 전자와 정공 (hole)의 재결합이 잘 이루어 지지 않아 소자의 효율을 낮춘다. 우리가 질화갈륨을 평면 형태가 아닌 막대 형태로 성장해서 이용한다면, 위에서 언급된 문제들을 상당 부분 해소할 수 있다. 질화갈륨 나노막대는 표면적이 넓어 격자상수 차이로 인한 응력 (strain)을 효과적으로 완화 시켜줄 수 있기 때문에, 이종기판 위의 넓은 면적에 전위없이 성장될 수 있다. 또한 나노막대가 지닌 일 차원의 기하학적 구조로 인해 막대의 양쪽 끝으로 빛이 가이드되어 평면 형태보다 훨씬 효율적으로 빛이 밖으로 빠져나간다. 게다가, 질화갈륨 나노막대 위에 증착된 코어-쉘 형태의 헤테로 구조는 분극이 없는 m면에 성장되므로 내부 전기장 효과를 무시할 수 있으며, 코어-쉘 구조는 나노막대가 가진 높은 표면적 대 체적비로 인해 c평면에 성장된 헤테로 구조보다 더 넓은 발광 면적을 가진다. 따라서, 단위면적당 전류밀도를 낮출 수 있어서 발광 다이오드에서 고전류 구동시 효율 감소하는 현상을 줄일 수 있고, 빛의 흡수면적이 넓기 때문에 태양전지 분야에서도 사용될 수 있다. 하지만, 유기금속 기상증착법을 이용하여 질화갈륨 나노막대를 성장하기 위한 조건은 매우 까다로운데 그 이유는 증착법이 kinetics 보다는 mass transport에 의한 영향을 더 받기 때문이다. 따라서, 대부분의 연구 그룹들은 불순물에 의한 오염이나 복잡한 패터닝 공정을 감수하고 금속촉매나 나노패턴을 형판 (template)으로 이용하여 나노막대를 성장하였다. 이러한 방법을 이용하지 않고 성장 조건의 최적화만을 통해 자가형성된 (self-organized) 나노막대를 성장한 연구는 많지 않으며, 그 성장 메커니즘 또한 명확히 밝혀진 것이 없었다. 본 연구에서 우리는 위의 금속촉매나 나노패턴의 도움 없이 (111)면의 실리콘 위에 유기금속 기상증착법을 이용하여 성공적으로 자가형성 나노막대를 성장하였고, 실리콘 기판과 질화갈륨의 격차상수 차이에 의한 인장 (tensile) 응력이 질화갈륨 나노막대의 수직 성장의 원동력이라는 것을 확인하였다...한국과학기술원 :물리학과