Effects of Antimicrobial Stewardship Interventions on Broad-spectrum Antimicrobials Consumption

학위논문 (석사)-- 서울대학교 보건대학원 : 보건학과(보건정책관리전공), 2015. 8. 김창엽.서론: 새로운 항생제의 개발이 감소한 상황에서 다제내성균은 현실적인 위협이 되고 있다. 의료 서비스의 발전 및 확대 등 의료 환경의 변화는 항생제 내성 세균의 출현 및 파급에 대한 압력으로 작용하고 있다. 의료 기관 내에서 발생한 다제내성균이 지역사회로 파급되고 다시 의료 기관 내로 침투하는 악순환의 고리를 차단하기 위해서 의료 기관 내에서 광범위 항생제의 무분별한 사용을 줄이고 항생제 사용의 적절성을 증진하기 위한 중재가 필요하다. 본 연구는 국내 한 상급 종합 병원의 장기간 광범위 항생제 사용량의 변동을 조사하고 광범위 항생제 사용량의 변동에 미친 중재의 영향을 확인하고자 하였다. 연구 방법: 2006년 7월부터 2014년 6월까지 총 96개월의 기간 동안 처방 제한 체계의 관리 하에 있던 광범위 항생제의 월별 사용량을 1000 환자-일 당 치료 일수(Days of Therapy, DOT/1000 patient-days)를 기준으로 조사하였다. 연구 기간 동안 광범위 항생제 처방 제한 체계는 유지가 되었고, 두 번의 감염 전문의 채용을 통한 항생제 관리 인력의 충원과 전자 의무 기록 기반 자동 타과의뢰 발행을 내용으로 하는 형식 변경이 한 번 있었다. 이 세 가지의 변화를 광범위 항생제 관리를 위한 중재로 정의하였고 중재 전후 항생제 사용량의 변동을 확인하기 위하여 단절적 시계열 분석을 시행하였다. 결과: 연구 기간 동안 전체 제한 항생제, 그리고 제한 항생제 중 비중이 큰 글리코펩타이드와 카바페넴의 사용량은 증가하는 추세를 보였다(p<0.001). 첫 번째 중재인 감염 전문의 수의 증가 직후 전체 제한 항생제(p=0.047) 및 글리코펩타이드(p <0.001)의 사용량 수준은 유의하게 감소하였다. 하지만 첫 번째 중재 이후 항생제 사용량 추세의 유의한 변화는 없었다. 카바페넴 사용량의 수준 및 추세의 경우 뚜렷한 변화는 없었으나 중재 직후 그룹 1 카바페넴 사용량의 유의한 증가(p=0.006) 및 그룹 2 카바페넴 사용량의 유의한 감소(p=0.007), 그리고 그룹 2 카바페넴 사용량 증가 추세의 둔화(p=0.041)를 확인할 수 있었다. 두 번째 중재인 감염 전문의 추가 증가 이후 첫 번째 중재 이후와 비슷한 양상의 변화가 나타났으나 통계적으로 유의한 변화는 없었다. 세 번째 중재인 자동 타과의뢰 시작 이후 전체 제한 항생제, 글리코펩타이드, 카바페넴 사용량의 변화는 뚜렷하지 않았다. 결론: 장기간의 항생제 사용량 변동 속에서 감염 전문의 수의 증가 이후 처방 체계 관리 하에 있는 광범위 항생제 사용량 수준은 감소하였으나 사용량 추세의 변화는 뚜렷하지 않았다. 또한 중재의 시점과 내용에 따라 중재 이후 항생제 사용량의 변화는 다르게 나타났다. 가용 자원에 대한 분석을 기반으로 보다 효과적이고 효율적인 광범위 항생제 관리 전략의 개발이 요구된다.초록 i 목차 iv 표 목차 (LIST OF TABLES) vi 그림 목차 (LIST OF FIGURES) vii 1. 연구의 배경 1 1.1 다제내성균 감염의 증가 1 1.2 입원 환자 항생제 사용량과 사용의 적절성 2 1.3 항생제 스튜어드쉽의 개념 3 1.4 연구의 목적 5 2. 이론적 배경 7 2.1 항생제 스튜어드쉽의 전략 7 2.2 처방 제한 및 사전 승인 9 2.3 감염 전문의의 역할 10 2.4 정보 기술의 활용 ? 전자 의무 기록(EMR)과 임상 의사 결정 지원 시스템 (CDSS) 12 2.5 일일 규정 용량(Defined Daily Dose, DDD)과 치료 일수(Days of Therapy, DOT) 13 3. 연구 방법 16 3.1 대상 의료 기관의 특성 및 중재의 정의 16 3.2 연구 기간 19 3.3 결과 변수 21 3.4 자료 수집 방법 및 기타 변수 22 3.5 통계 분석 24 4. 연구 결과 27 4.1 환자-일 및 내성균 검출율 변동 27 4.2 제한 항생제 사용량 추이 29 4.3 모형 적합성 확인 33 4.4 전체 제한 항생제 사용량에 대한 중재의 효과 36 4.5 글리코펩타이드 사용량에 대한 중재의 효과 39 4.6 카바페넴 사용량에 대한 중재의 효과 42 4.7 그룹 1 카바페넴과 그룹 2 카바페넴 사용량에 대한 중재의 효과 45 5. 고찰 50 6. 결론 59 7. 참고 문헌 60 Abstract 66Maste

유리기판 위의 가시광 파장 이하의 크기를 가지는 확률론적 미세구조물을 이용한 OLED 광추출 효율의 향상

학위논문 (석사)-- 서울대학교 대학원 : 전기·컴퓨터공학부, 2012. 2. 황기웅.유리기판위에 여러 물질이 다층구조로 되어있는 OLED는 그 구조상의 특징 때문에 빛들이 wave-guided mode 나 내부 전반사로 인하여 손실이 많이 일어나고 일반적으로 20%의 광추출 효율을 가진다. 따라서 밖으로 빠져나오지 못하고 손실되는 빛의 외부 추출을 증가시킬 수 있다면 더 향상된 광 효율을 가지는 OLED 소자를 만들 수 있는 것이다. 이 문제에 대한 많은 연구가 있었고 광 추출 효율개선에도 훌륭한 성과들이 있었지만 대부분의 방법들이 복잡하고 비싼 공정이 필요하거나 특정파장에 대해 한계를 가지는 등의 문제점이 있다. 본 논문에는 유리기판 위에 Ni을 증착한 후 RTA 처리로 island 형태의 마스크를 만든 후 플라즈마를 이용해 식각하여 랜덤한 분포를 가지는 3차원의 옆면이 기울어진 구조물(sub-wavelength structure)을 유리 표면에 형성하였다. 이 가시광선 파장이하의 구조물은 매질간의 점진적인 굴절율의 변화를 형성시키는 효과와 회절격자와 같이 작용하여 빛을 산란시키는 두 가지 역할을 함으로써 전반사되는 빛을 효율적으로 추출하는 것을 스펙트로포토미터 측정을 통하여 확인하였다. 이 결과로부터 제안한 SWS가 OLED의 광 추출 효율을 개선할 수 있음을 알 수 있었고 실제 OLED 소자에 적용하여 효율이 10% 증가한 결과를 얻었다. 본 논문에서 제안한 플라즈마 표면 식각방법에 의해 생성된 구조물을 이용한 OLED 소자의 광 추출 효율향상 방법은 기존의 방법에 필요한 고가의 리소그래피(Lithography)와 같은 공정이 필요하지 않으므로 공정 단가가 절감되고 제조공정이 단순하여 기존의 방법들에 비해 높은 생산성을 얻을 수 있으며 대면적화에도 유리하다는 장점이 있다. 그리고 일정한 주기가 아닌 랜덤한 분포를 가지고 있으므로 특정 파장의 빛에 제한이 생기던 문제점 또한 해결할 수 있는 가능성을 가지고 있다. 따라서 본 논문에서 제시하는 유리 기판 위 구조물 생성방법을 OLED에 적용한다면 적은 비용으로 소자의 효율을 크게 향상시키는데 기여할 수 있을 것이다.Generally, the OLED(Organic Light Emitting Diode) has about 20% external quantum efficiency, because the loss of light is occurred by wave-guided mode and total-internal reflection caused by stack structure of OLED. Therefore, if we can extract trapped light in OLED, we can make the OLED device that has more improved light efficiency. Many researches about that issue have been performed and there were various good results. But, most methods have problems, need complex and expensive fabrication or have a limit on certain wavelength range. In this study, we have demonstrated lithography-free, simple, and large area fabrication method for sub-wavelength structures (SWS) to achieve improvement in the light extraction efficiency of OLED. Thin film of Ni on the glass substrate is melted and agglomerate into hemispheric nano-islands by rapid thermal annealing(RTA), and the array of the Ni nano-islands is used as the etch mask for plasma etching to form SWS on the glass substrate. The critical parameters, the temperature and gas ambient of RTA process and conditions of plasma etching, have been experimentally studied to achieve improvement of light extraction with SWS. We conformed that this SWS can extract the total-internal-reflected light effectively, since the SWS has two effect, continuously changed refractive-index medium and diffraction grating that scatters the light by measuring transmittance with spectrophotometer. By applying the SWS to the OLED device, a 10% improvement of luminance efficiency has been demonstrated. The method we propose in this study don't need expensive fabrication process like lithography. And since the SWS are distributed randomly, it has possibility to solve the problem of limit on certain wavelength range. As a result, this simple and cost-effective method may be suitable for mass production of large-area OLEDs for lighting applications.Maste

InGaZnO물질기반의 RRAM 소자에 산소 결핍 농도의 효과에 관한 연구

학위논문(석사) - 한국과학기술원 : 전기및전자공학과, 2013.2, [ ii, 44 p. ]Resistance random access memory (RRAM) composed of stacked aluminum (Al)/InGaZnO(IGZO)/Al is investigated with different gallium concentrations. It is widely known that the increased concentration of gallium on IGZO reduces off-state current of transistors due to a decrease of oxygen vacancy (VO). As employing the previous results about thin film transistors, from the analysis of electrical properties, it is demonstrated that the controlled VO leads to bipolar resistive switching (BRS) characteristics. The stoichiometric ratio (x) of gallium in the InGaxZnO is varied from 0 to 4 for intentional control of the concentration of the VO, which influences the electrical characteristics of the RRAM. No Ga in the IGZO (x=0) significantly increases the value of VO and leads to a breakdown of the IGZO. In contrast, a high Ga concentration (x=4) suppresses the generation of VO; hence, resistive switching is disabled. Thus, the optimization for controlling the concentration of VO is necessary. The optimal value of x is 2 in terms of IGxZO. Accordingly, enduring RRAM characteristics are achieved.한국과학기술원 : 전기및전자공학과