(The) Effect of Three Different Goal-Setting Instructions on the Performance and Learning of a Motor Task

The effects of different types of goal-setting instructions on performance and learning of a lab motor task(pursuit rotor; Lafayette model # No. 1110) were experimentally tested with thirty female junior high school students. Subject were randomly assigned to one of three experimental conditions(i. e., no goal setting condition; do-the-best condition; specific goal setting condition) with repeated-measures on testing(i. e., 3×10 factorial design with repeated-measures on test) along with retention test. Analyses of performance scores(i. e., time-on-target) of ten blocks of five trials showed significant main effects of trial and goal setting treatment as well as a significant interaction effect. That is, the specific goal setting group showed better performance and learning effects than do-the-best group or no goal setting group. The significant treatment main effect showed an exaggerating increase as the trials increased. These effect altogether were interpreted to suggest the positive goal setting effects on both performance and learning of motor task, when given in specifics.;이 연구는 목표설정(goal-setting)의 유형에 따라 운동수행 및 운동학습이 어떠한 영향을 미치는지를 구명하는데 그 목적이 있다. 이러한 목적에 의해 D여중 재학생 30명을 연구대상으로 하여 목표설정 형태를 목표설정이 없는 집단, 목표설정이 격려수준인 집단, 구체적 목표수준을 준 집단으로 나누고 10명씩 무선배정 하였다. 실험과제는 실험실 운동과제인 회전판 추적과제로 하였고, 피험자가 회전판 추적기(pursuit rotor) 앞에 서서 추적봉을 오른쪽 하단에 있는 준비 점에 대고 있다가 시작 신호인 "삐" 소리가 나는 동시에 입력해 놓은 추적시간(20초) 동안 시계방향으로 회전하는 회전판 위의 표적에 접촉하도록 하였고, 추적 시간이 끝나는 신호인 "삐" 소리와 동시에 추적을 멈추고 바로 준비 점으로 추적 봉을 대도록 하였다. 본 실험의 실험 설계는 반복측정 피험자간 - 설계(between - subjects factor)로 목표설정의 세 가지 방법과 피험자 내 변인(within -subject factor)으로 분단(10)에 의한 2요인 혼합설계, 즉 3×10 요인설계(3×10 Factorial Design with Repeated Measures on the Second Factor)로 하였고, 실험에서 얻어진 피험자의 수행기록은 1회 시행(one trial)별 20초 추적 기록을 1/100초 단위로 측정하였으며, 5회 시행 평균기록을 1분단( block)의 기록으로 하여 총 50회, 즉 10분단으로 하였다. 각 집단별로 전체 피험자의 분단별 평균과 표준편차를 산출하고, 집단간 목표 설정 효과를 습득단계에서는 반복측정에 의한 이원분산분석(two-way ANOVA with repeated measures on the second factor)을 실시하였다. 그리고 파지단계에서는 집단간 비교인 일원변량분석(one-way ANOVA)을 실시하였다. 분석 결과, 수행단계에서는 목표설정 유형(집단)에 따라서 유의한 차이가 있었고(F(2,27)=4,472, p<.05), 분단(F(9,243)=79.958, p<.01)과 분단과 집단의 상호작용 효과(F(18,243)=4.712, p<.01)에도 유의하였다. 그리고 파지 단계에서는 목표설정 유형(집단)에 따라 수행에서 유의한 차이가 있었다. ((2,29)=4.258, p<.05). 결론적으로 수행과 학습과정에서는 목표를 구체적으로 설정하는 것이 수행과 학습에 가장 효과적이었으며, 다음으로는 격려 수준의 목표설정이 효과적이었다.목차 = ⅰ 표목차 = ⅲ 그림 목차 = ⅳ 논문개요 = ⅴ Ⅰ. 서론 = 1 A. 연구의 필요성 및 목적 = 1 B. 연구문제 = 5 C. 연구가설 = 5 Ⅱ. 이론적 배경 = 6 A. 운동수행 = 6 B. 운동학습 = 7 C. 목표설정 = 9 1. 목표의 정의 = 9 2. 목표의 유형 = 11 3. 목표설정 이론 = 12 4. 목표의 단계와 원리 = 20 5. 목표설정 효과 = 23 D. 목표설정 과 운동학습 = 25 Ⅲ. 연구방법 = 31 A. 피험자 = 31 B . 연구과제 및 실험절차 = 31 C. 실험설계 및 분석 = 34 Ⅳ. 연구 결과 = 35 A. 연습단계에서의 수행결과 분석 = 35 B. 파지단계에서의 수행결과 분석 = 42 Ⅴ. 논의 및 결론 = 44 참고문헌 = 47 ABSTRACT = 5

스피노자 : 상상과 정서

학위논문(석사)--서울대학교 대학원 :철학과 서양철학전공,2003.Maste

글쓰기의 편견

아마도『현상학적 운동』이라는 책이었을 것이다. 그 책에는 초기 현상학 운동에 참여했던 사람들의 단체사진이 몇 점 실려 있었다. 그 사진 속에서 일생동안 단 한편의 글도 출간하지 않았던, 그래서 낡은 사진과 동료들의 추억을 통해서만 기억되었던 한 현상학자의 모습을 본 적이 있다. 단 한편의 글도 출간하지 않았기에, 그가 구체적으로 무엇을 생각했고 어떤 학적인 기여를 했는지 도통 알 수 없었지만 그의 모습은 한 동안 뇌리를 떠나지 않았다. 책의 저자가 그를 변명해주던 한 구절 때문이었다. 사유와 반성이 너무 치열한 나머지 일생동안 단 한편의 글도 쓸 수 없었던...이 구절은 글쓰기의 고통 때문에 학업 중단을 생각해본 적이 있을 만큼 글쓰기를 꺼려했던 나에게 적지 않은 위안을 주었다. 성급하고 성긴 글보다는 사유가 영글 때까지 아무것도 하지 않는 편이 좋고, 글쓰기를 망설이는 것이 오히려 사유의 진실함을 입증하는 것 아닐까 하고 말이다

Johnson 문학에 있어서의 보통사람들에 대한 관심 : Life of Savage를 출발점으로 하여

T.S. Eliot는 Johnson 시선집에 붙인 한 평론에서 Pope, Swift, Prior, Gay 이후의 영국이 마치 은퇴한 시골목사나 학교선생들의 시대와 같다면서 지나치게 시적이며 전원시 전통에 물든 영시에 대해 불만을 표시하고 있다. 이러한 문학적 분위기 속에서 Johnson이 지니는 가치는 특별한 것으로 Eliot는 간주하고 있다. In this rural, pastoral, meditative age Johnson is the most alien figure. Goldsmith is more a poet of his time, with his melting sentiment just saved by the precision of his language. But Johnson remains a townsman, if certainly not a courtier; a student of mankind not of natural history; a great prose writer; with no tolerance of swains and milkmaids. 물론 위의 글에서 감수성의 시대의 시들에 대한 Eliot의 비판은 이론의 여지가 있을지 모르나, Johnson이 낭만주의 시인처럼 사회에 대한 적이 아니라 확고히 사회속에 뿌리박은 사람으로서 다른 어느 주제보다 인간에 대한 탐구를 끈질기게 지속했다는 점은 대체로 동의할 수 있을 것이다 Johnson의 시에 대해 결코 완전히 동의하지는 않지만, F.R.Leavis 역시 Johnson의 시가 대표적인 인간 경험의 무게와 인간 중심성을 내보인다고 지적하고 있다

Enhancing Memory Reliability by Address Remapping

학위논문(박사)--서울대학교 대학원 :공과대학 전기·정보공학부,2020. 2. 이혁재.최근, 메모리 장치의 집적도와 동작 속도가 크게 향상되면서 에러 발생률이 크게 증가하고 있다. 집적도의 향상은 메모리 cell 크기를 감소시켜 cell에 저장되어 있는 데이터의 안정성을 떨어뜨리며, 속도의 향상은 더 빠른 전압 변화를 불러와 데이터 사이의 간섭을 증가시킨다. 이러한 조건에서 한 위치에 집중적으로 읽기/쓰기 동작이 일어나면 간섭에 의해 주변 cell에서 쉽게 에러가 발생하게 된다. 본 논문은 한 위치에 집중되는 접근을 여러 위치로 분산시키는 다양한 방법을 제시한다. 가장 빈번히 사용되는 메모리 장치인 Dynamic Random Access Memory(DRAM)에서는 rowhammer error라는 현상이 문제가 된다. Rowhammer error는 인접한 row에 반복적인 접근이 일어날 때 해당 DRAM cell에 에러가 발생하는 현상이다. 이 현상은 에러 발생율이 높고 특정 부분에 집중되는 경향이 있어 기존의 DRAM에서 사용되는 error correcting code(ECC)로 해결하기 힘들다. 본 논문에서는 특정 부분에 집중되는 rowhammer error를 여러 row로 분산시키는 방법을 제시한다. DRAM module 안의 chip마다 서로 다른 address mapping을 사용함으로써, 제안하는 방법은 rowhammer error의 발생율을 감소시키고 발생한 에러를 여러 row로 분산시킨다. 그 결과, ECC로 해결하지 못하는 에러 수가 크게 감소하여 기존에 사용되는 ECC만으로도 rowhammer error를 대부분 해결할 수 있게 된다. 실험 결과 제안하는 방법은 ECC가 해결하지 못하는 uncorrectable error(UE)를 최소 95% 감소시키는 것으로 나타난다. 차세대 메모리 장치로 주목받고 있는 Phase-change Random Access Memory(PRAM)에서는 write disturbance error(WDE) 라는 현상이 문제가 된다. WDE는 한 cell에 지속적인 쓰기 동작이 발생할 때 주변 cell에서 에러가 발생하는 현상이다. 이 현상 또한 rowhammer error와 유사하게 에러 발생율이 높고 집중되는 경향이 있어 DRAM과 유사한 방법으로 에러를 분산시켜 해결할 수 있다. 본 논문에서는 PRAM에서의 WDE를 해결하기 위한 또다른 방법을 제시한다. PRAM은 비휘발성 메모리여서 endurance가 제한적이고, 이에 따라 쓰기 동작을 전체 메모리 영역에 분산시키는 wear-leveling 알고리즘을 사용한다. 기존의 wear-leveling 알고리즘은 WDE에 대한 고려 없이 설계되어 WDE를 충분히 막지 못한다. 제안하는 방법은 wear-leveling 알고리즘을 수정하여 WDE가 발생하기 전에 해당 cell에 write를 할당하는 방법으로 WDE를 막는 방법이다. 자주 접근되는 hot address에서 endurance와 WDE 문제가 발생한다는 점에서 착안해, 제안하는 방법은 hot address를 특별히 설계된 hot region에 할당한다. Hot region은 WDE에 강인하며 효과가 좋은 wear-leveling 알고리즘이 적용된다. 또한, hot region은 주기적으로 이동하여 전체 메모리 영역에 균일하게 분포되어 모든 cell이 hot region을 동일하게 경험하도록 설계된다. Hot region이 아닌 일반 메모리 영역은 간단한 linear mapping을 사용하여 하드웨어 overhead를 크게 감소시킨다. 제안하는 방법은 WDE를 80% 이상 감소시키고 wear-leveling 효과 또한 3% 이상 증가시킨다.Recently, the density and operation speed of a memory device are greatly improved, resulting the reliability of the device has been severely threatened. Increased density reduces the memory cell size, reducing the stability of the data stored in the cell. Increased speed introduces faster voltage changes, increasing the interference between data. Under these conditions, when intensive read/write operations occur at one location, an error is easily occurred in the neighboring cells due to the interference. This paper presents various methods for distributing intense approaches to multiple locations. In dynamic random access memory(DRAM), which is the most frequently used memory device, a phenomenon named as rowhammer error is emerged as a problem. Rowhammer error represents a loss of data stored in a DRAM cell caused by electromagnetic interference due to repetitive access to the same and/or adjacent rows. Due to the high error rate and concentrated occurrence of rowhammer errors in specific rows and columns, these errors cannot be corrected by the conventional error correcting code (ECC) commonly used in DRAM devices. This paper proposes a different approach to handle rowhammer errors by distributing them across different DRAM rows and columns so that the attack cells are not concentrated on specific rows and columns. By using different address mappings to different chips and arrays in a DIMM, the proposed remapping effectively distributes errors over different rows and columns. As a result, the proposed remapping scheme decreases the possibility of multiple errors in a single word, and consequently, reduces uncorrectable errors under single error or single symbol correcting ECC. In phase-change random access memory(PRAM), which is one of the most promising next-generation memory devices, a phenomenon called write disturbance error(WDE) becomes a problem. WDE is a phenomenon in which an error occurs in adjacent cells when intensive write operations occur in a cell. This phenomenon is similar to rowhammer error in DRAM and thus, it can be solved by distributing the errors in a manner similar to DRAM address remapping. Moreover, we present another method for solving WDE in PRAM. PRAM is a non-volatile memory with limited cell endurance, and thus uses a wear-leveling algorithm to distribute write operations over the entire memory space. Existing wear-leveling algorithms are designed without considering WDE and cannot efficiently remove WDE. The proposed method is to prevent the WDE by modifying the wear-leveling algorithm to assign write operation to the cell before the WDE occurs. From the observation that the write disturbance errors and short endurance issues mostly take place in hot addressed cells, the proposed algorithm first detects hot addresses and maps them to hot regions, which are customized memory regions designed to be robust to write disturbance errors and to support effective wear-leveling. The hot region is not fixed to a specific part, but it moves over an entire memory space to make every cell belong to hot region in a uniform manner. On the other hand, the cold addresses are mapped in a normal memory region by simple linear mapping to reduce the hardware overhead. The proposed algorithm reduces the write disturbance errors by more than 80% and the wear-leveling performance is also enhanced by more than 3% compared to other wear-leveling algorithms.제 1 장 서 론 1 1.1 연구 배경 1 1.2 연구 내용 5 1.3 논문 구성 7 제 2 장 관련 연구 8 2.1 DRAM의 구조 및 접근 방법 8 2.2 DRAM rowhammer attack 관련 연구 10 2.3 DRAM rowhammer error solution 관련 연구 12 2.4 PRAM 구조 및 접근 방법 13 2.5 PRAM write disturbance error 관련 연구 15 2.6 PRAM wear-leveling 알고리즘 관련 연구 17 제 3 장 Rowhammer Error를 줄이는 DRAM Address Remapping 19 3.1 rowhammer error의 특징 19 3.2 DRAM address remapping overview 23 3.3 DRAM Address remapping 조건 분석 26 3.4 조건을 만족시키는 Remapping Matrix 도출 31 3.5 Remapping Matrix의 적용 36 3.6 실험 환경 구성 39 3.7 실험 결과 44 제 4 장 Write Disturbance Error를 줄이는 PRAM Address Remapping 56 4.1 WDE와 rowhammer error의 유사성 56 4.2 실험 결과 59 제 5 장 Write Disturbance Error를 줄이는 PRAM wear-leveling 알고리즘 62 5.1 wear-leveling 알고리즘과 WDE의 관련성 62 5.2 PRAM wear-leveling 알고리즘 overview 64 5.3 hot region의 구조 및 hot address mapping 67 5.4 hot address mapping 70 5.5 normal address mapping 74 5.6 WDE 제거 조건 77 5.7 실험 결과 82 5.8 다른 연구와의 비교 87 제 6 장 결 론 90 참고문헌 93 Abstract 98Docto

이중 주파수 플라즈마 식각 장치에서의 기상 미립자 오염 제어에 관한 연구

학위논문 (석사)-- 서울대학교 대학원 : 전기·컴퓨터공학부, 2015. 2. 황기웅.최근 반도체 소자의 집적도는 증가하고, 회로를 구성하고 있는 선폭은 계속 작아지고 있어 반도체 디바이스 제조 공정에서 요구되는 정밀도와 청정도도 꾸준히 증가하고 있다. 특히 밀폐된 청정실과 공조 시설이 잘 갖추어진 최근의 제조 환경에서도 다양한 원인에 의한 미립자 오염과 그에 따른 패턴 불량, 디바이스의 오작동 문제는 꾸준히 발생하고 있는데, 이는 기존의 오염 제어 방법으로는 분명한 한계가 있음을 말해준다. 본 논문은 대표적인 플라즈마 공정 중 하나인 건식 식각(dry etching) 공정에서의 미립자 오염에 관한 내용을 다루고 있다. 플라즈마 공정에서 미립자 오염의 형태는 발생 원인에 따라 크게 세 가지로 분류할 수 있는데, 환경적 요인에 의한 오염, 용기(chamber) 또는 각 종 parts의 부식에 의한 오염 그리고 공정 중 플라즈마 내에서 발생하는 기상 미립자에 의한 오염 등이 그것이다. 이 중 기상 미립자는 플라즈마 내에서 가스 입자, 공정 부산물 등의 결합에 의해 기상 성장하여 플라즈마와 전극의 경계 부근에 머무르다가 일정 수준의 크기와 밀도 이상이 되면 기판 위로 떨어져 오염을 유발한다. 외부로부터 발생하는 미립자와는 달리 기상 미립자는 그 크기가 매우 작고(sub-micron), 대부분 공정 중에 발생하였다가 공정이 끝남과 동시에 사라지는 특성을 보이므로 이전 세대의 디바이스에서는 크게 문제되지 않았으나 디바이스 선폭이 수십 nm 이하로 작아지면서 이들에 의한 치명적인 오염 비중은 지속적으로 증가할 것이다. 따라서, 플라즈마가 유지되는 도중에 기상 미립자의 행동 양식을 이해하여 이를 제어할 필요가 있는데, 미립자 구름의 생성과 소멸 과정을 실시간으로 관찰하고 그 특성을 파악하는 것은 기상 미립자 오염 방지의 출발점이 될 것이다. 하지만, 공정 중 플라즈마의 특성을 변화시키지 않고 미립자의 움직임 만을 제어한다는 것은 결코 쉬운 일이 아니며, 현재까지 다양한 방법들이 시도되어 왔으나 공정의 난이도 또한 꾸준히 증가하고 있어 새롭고 더욱 효과적인 방법이 필요한 실정이다. 공정 중에 발생하는 미립자 오염 제어를 위해 현재까지 제안된 방법으로는 펄스(pulse)를 이용한 RF 변조(RF modulation), 온도차를 이용한 방법, 전극 형태 변경 등이 있는데, 이들 방법은 이미 십 수년 전에 제안된 것이고, 실험실에서의 제한된 조건에서는 효과가 확인되었지만 실제 양산 공정에서는 다른 중요한 목적 (식각 프로파일 개선, 균일도 유지, 식각 속도 등)을 충족시키기 위해 사용할 수 없는 경우가 많다. 따라서 미립자 오염 개선에 효과적이면서도 현재의 공정 조건과 시스템의 형태를 가능한 그대로 활용할 수 있는 새로운 방법의 도입이 시급한 실정이다. 본 연구에서는 최근 상용 장비들이 대부분 두 개 이상의 서로 다른 주파수의 RF power 를 혼합하여 사용한다는 것에 착안하여 주파수에 따른 효과를 파악하고 응용할 수 있는 방법에 집중함으로써 이러한 요구를 만족시킬 수 있는 새로운 오염 제어 방법을 제시하였다. 실험을 위해 4인치 크기의 전극을 갖는 RF (Radio frequency) 용량 결합형 플라즈마 (Capacitively coupled plasma) 식각 장치와 유도 결합형 플라즈마 (Inductively coupled plasma) 식각 장치를 각각 구성하고, 여기에 Laser와 CCD camera 를 설치하여 공정 중에 발생하는 미립자 구름(particle cloud)을 실시간 관찰하여 기록하였다. 용량 결합형 플라즈마 장치에서는 위, 아래 전극에 각각 RF generator 를 연결하고 특히 아래 전극에는 두 개의 서로 다른 주파수를 갖는 RF generator 를 동시에 연결하여 이중 주파수(dual frequency) 장치를 구현하였다. 이를 이용하여 먼저 단일 주파수 조건에서 공정 조건(압력, 전극 간격, RF power 등) 변화에 대한 미립자 행동 특성을 관찰하여 본 실험 장치가 갖는 주요한 특성을 파악하였고 듀얼 랑뮤어 프로브(dual Langmuir prove, DLP)를 이용하여 전자 온도(electron temperature)와 이온 밀도(ion density)를 측정하여 이것이 기존 연구 결과와 일치하는지 확인하였다. 나아가 동일한 조건에서 주파수를 증가시키면 기상 미립자 구름은 전극에 가까이 형성되었으며 크기도 커졌는데, 이는 주파수가 증가할수록 기판으로의 이온 플럭스(ion flux)가 증가하고 DC bias voltage 는 감소함에 따라 미립자 트랩의 위치가 전극 방향으로 이동하기 때문이다. 이온 에너지 분석기(ion energy analyzer, IEA)를 이용하여 직접 측정한 total ion flux 와 DC bias voltage 는 이 현상을 잘 설명해 주고 있으며, 다양한 주파수에 대한 기존 연구 내용과도 일치하는 것이다. 공정 중 외부 전기장 (RF power, DC voltage 등) 의 급격한 변화가 발생하면 미립자 구름의 위치나 형태도 변하게 되고, 플라즈마가 꺼지는 순간에는 균형을 이루고 있던 힘이 사라져 트랩(trap)되어 있던 미립자가 아래 전극 또는 펌핑 포트 (pumping port) 방향으로 쓸려나가게 되어 기판 오염을 일으키게 되는데, 이 때 상기 주파수 효과를 적용하여 오염 방지에 효과적인 방법을 찾을 수 있었다. 공정 전환 구간(transition step)에 상대적으로 낮은 주파수만을 유지하고, 방전 종료 시점에도 낮은 주파수의 RF power 를 약간의 시차를 두고 나중에 turn off 함으로써 buffer step 효과를 주어 미립자 구름의 위치를 기판으로부터 멀리 이동시킬 수 있었다. 이렇게 이동한 미립자 구름은 최종 방전이 종료되는 순간 자연스럽게 펌핑 포트로 빠져 나갔으며, 일반적으로 사용되고 있는 이중 주파수 장치의 두 가지 형태(bottom dual, top-bottom dual)에 대해 실험을 진행하여 모두 효과가 있음을 확인하였다. 유도 결합형 플라즈마 장치에서도 유사한 방법을 사용하여 미립자 구름을 관찰하였는데, 용량 결합형 장치와 달리 아래 전극에 인가된 bias power 의 유무에 따라 미립자 트랩의 생성 여부가 결정되었고 source power 만 인가 시에는 조건과 무관하게 미립자 구름은 관찰되지 않았다. 이를 이용하여 공정 전환 구간 동안 bias power 를 유지함으로써 미립자가 기판으로 떨어지지 않고 계속 트랩(trap)되어 있도록 할 수 있었고, 방전 종료 시점에는 source, bias 순으로 turn off 하되 bias power 를 최종 turn off 하기 전 buffer step 을 삽입하여 효과를 극대화 할 수 있었다. 서로 다른 여러 개의 주파수를 동시에 bias power 로 사용하는 경우에는 source 와 bias power 간의 관계를 정의하여 상기와 같이 적용한 후 bias 에 대해서는 용량 결합형 장치에서 확인한 주파수 효과를 그대로 적용할 수 있을 것이다. 지금까지 유도 결합형 플라즈마 식각 장치에서는 미립자 트랩의 관찰이 힘들다는 이유로 활발한 논의가 되지 못하였는데, 최근에는 유도 결합형 장치에서도 충분한 이온 에너지를 확보하고자 높은 bias power 를 사용하고 있고 두 가지 이상의 주파수를 함께 사용하는 경우도 많아지고 있기 때문에 상기와 같이 미립자 트랩이 bias power 에 의존한다는 특성을 잘 활용한다면 기상 미립자에 의한 오염을 최소화 할 수 있는 효과적인 방법을 찾을 수 있을 것이다. 위와 같은 방법은 전환 구간 또는 방전 종료 순간의 짧은 시간 동안 약간의 변화를 주는 것으로써 공정 결과에 대한 영향은 거의 없을 것으로 보이고, 기존 양산 설비의 hardware 나 software 의 변경 없이도 즉시 구현 가능한 매우 실용적인 아이디어이다. 또한 주파수에 따른 미립자 구름의 행동 양식은 본 연구에서 확인한 2MHz, 13.56MHz, 40.68MHz 외에도 다양한 주파수 영역에 걸쳐 공통적으로 적용 가능한 것이므로 그 적용 범위 또한 매우 넓을 것으로 기대된다.국문 초록 목차 그림 목차 표 목차 제 1 장 서 론 1.1 연구의 배경 및 목적 1.2 논문의 구성 제 2 장 플라즈마 내에서의 미립자 행동 양식 2.1 플라즈마 식각 장치의 원리 2.2 미립자 오염의 원인 및 특성 2.3 플라즈마 내에서의 미립자 행동 양식 제 3 장 용량 결합 플라즈마에서의 미립자 오염 제어 3.1 실험 장치의 구성 3.2 단일 주파수 조건에서의 미립자 행동 특성 3.2.1 공정 조건에 따른 미립자의 행동 변화 3.2.2 DLP를 이용한 전자 온도 및 이온 밀도 측정 3.3 주파수에 따른 미립자 행동 특성 3.3.1 주파수에 따른 미립자 구름의 형태 변화 3.3.2 IEA 를 이용한 Ion flux, DC bias voltage 측정 3.4 이중 주파수 장치를 이용한 미립자 오염 제어 3.4.1 실험 방법 소개 3.4.2 방전 시작 시점의 미립자 행동 특성 3.4.3 공정 전환 시점의 미립자 행동 특성 3.4.4 방전 종료 시점의 미립자 행동 특성 3.4.5 실험 결과 요약 제 4 장 유도 결합 플라즈마에서의 미립자 오염 제어 4.1 실험 장치의 구성 4.2 유도 결합 플라즈마 장치에서의 미립자 오염 제어 4.3 실험 결과 요약 제 5 장 결 론 참고문헌 AbstractMaste

Social desirability and social contextual cue in the formation of interpersonal relationship through computer mediated communication

학위논문(박사)--서울대학교 대학원 :언론정보학과,2004.Docto

한국인 식도암 환자에서 식도 절제술 및 식도 재건술이 수술 후 삶의 질에 미치는 영향

학위논문(석사) --서울대학교 대학원 :의학과 흉부외과학전공,2008.2.Maste