A study on quantitative analysis of quantum process in nuclear magnetic resonance quantum computer

학위논문(석사) - 한국과학기술원 : 물리학과, 2003.2, [ vi, 41 p. ]한국과학기술원 : 물리학과

Charge Selective Interfacial Transport Layer To Be Treated Interfacially By Polar Solvents , And Organic Electronic Device Using The Same

본 발명은 극성용매를 이용한 계면처리에 의해 높은 전하 전송 및 주입 효율 및 선택성을 가지는 전하선택적 계면전송층 및 이를 이용한 유기전자 소자에 관한 것으로서, 자세하게는 (i) 무기 반도체 층과 (ii) 상기 무기 반도체 층과 유기 활성층의 접촉 계면에서 자발분극을 통해 다이폴(dipole)을 유도할 수 있는 물질로 구성된 전하선택적 계면전송층으로서, 상기 접촉 계면에서 자발분극을 통해 다이폴을 유도할 수 있는 물질은 극성용매로서, 상기 극성용매가 상기 무기 반도체 층의 접촉 계면에 처리된 것을 특징으로 하며, 이를 이용하여 고 효율의 역 고분자 태양전지(iPSCs), 유기발광다이오드(OLEDs), 유기 메모리, 유기 트랜지스터(organic TFTs), 유기 센서 등 유기 반도체를 이용한 다양한 유기전자 소자에 적용하는 기술에 대한 것이다

A study on polypyrrole-based redox electrochemical supercapacitors with gel type electrolytes

학위논문(석사) - 한국과학기술원 : 생명화학공학과, 2002.8, [ ix, 67 p. ]슈퍼 커패시터는 전기자동차와 전자기기의 급속한 발전과 함께, 특히 강한 파워를 요구하는 전기자동차에 적용시킴으로써 매우 중요한 연구로 여겨지고 있다. 특히 전도성 고분자를 이용한 산화, 환원 커패시터에 많은 연구가 지속되고 있는데 이유인즉 매우 큰 전하밀도(high charge density)와 적게 비는 비용 때문이다. 지난 수 십년 동안 전도성 고분자(electronically conducting polymers)는 배터리의 양극재료, 디스플레이, 각종 전기장치, 각종 수많은 산업의 재료물질로도 주목을 많이 받았다. 최근에는 높은 동력 에너지 저장 장치인 전기화학적 커패시터의 전극 활 물질로써 전도성 고분자의 적용이 제시되고 있다. 전기 화학적인 중합에 의해 제조된 전도성 고분자는 높은 전기전도도를 가지지만 배터리나 슈퍼 커패시터의 적용에서와 같이 대량 생산이 요구될 때에는 전기 화학적인 중합보다 화학적 중합이 선호된다. 화학적인 중합에 의해서 폴리피롤을 얻고 특히 고분자 안정화제인 dodecylbenzene sulfonic acid sodium salt (DBSNA)와 산화제인 ammonium persulfate(APS)양을 변화를 주면서 중합한 결과 폴리피놀 입자의 크기를 조절할 수 있고 구 모양의 작은 입자도 얻을 수 있다. 또한 겔형 고분자 전해질이 2차 전지, 연료전지(Fuel Cells), 태양전지(Solar Cells), and 화학감지기(Chemical Sensor) 등에 사용되는 등 많은 관심을 받고 있다. 액체 전해질에 비해 이온 전도도가 낮고 기계적 물성이 낮으며, 전극과 전해질의 계면 접촉이 나쁘다는 문제가 있지만 전해질의 누액을 막을 수 있고 얇은 필름모양을 만들 수 있는 가공적인 면에서 탁월하기 때문에 많은 사람들이 연구하고 있다. 그래서 본 연구에서는 화학적인 중합에 의해서 제조된 폴리피롤, 도전제인 super-p 과 결착제인 kynar2801을 혼합하여 slurry 상태로 만들고 복합전극을 제조하였고 또한 겔형 고체 고분자 전해질을 사용하였다. 복합전극에 들어가는 폴리피롤과 super-p의 조성에 따라 전기 화학적인 특징, 전지특성을 연구하고, 또한 복합전극 제조 과정에서 여러 요인에 의해서 나타나는 pore geometry를 분석하고 전기화학적으로 어떤 영향을 미치는가를 살펴본다.한국과학기술원 : 생명화학공학과

초미세 상호작용의 전기적 조작에 관한 연구

학위논문(박사) - 한국과학기술원 : 물리학과, 2010.08, [ ix, 60 p. ]The silicon based nuclear spin quantum computer proposed by Kane is one of the most attractive quantum computer architectures because of its smart design and compatibility for implementation with mature silicon technology. In this model, $^{31}P$ nuclear spin located inside a silicon crystal with regular spacing are used as qubits and gate operation is implemented using electric field control of the hyperfine interaction. This model also requires extreme conditions, very low temperature and high magnetic field. To check the feasibility of this model, spin dynamics of electron and nuclear spins have to be brightened at such extreme conditions and the operating principles have to be experimentally demonstrated. In this study, a nuclear magnetic resonance (NMR) and an electron spin resonance (ESR) experiments were performed to investigate the spin dynamics and demonstrate qubit addressing via electrical control of the hyperfine interaction. As a first step, an NMR measurement was carried out on isolated donors in phosphorus doped silicon (Si:P) with concentration $n = 6 \times 10^{17} cm^{-3}$, but not in success because of low concentration of nuclear spins to detect. However, an NMR signal of delocalized donor in Si:P with $n = 5.6 \times10^{19} cm^{-3}$ was observed at temperature as low as 45 mK and magnetic field of 7 T. An inverted nuclear magnetization recovers its thermal equilibrium in two time steps. This implies the conduction electron does not act as a thermal bath for nuclear spins. From the $\it{T_1}$ relaxation study, it is found that the specific heat of the nuclear spins becomes lager than that of the conduction electrons at low temperature and high magnetic field limits. To investigate the spin dynamics of the isolated donor electron spin and nuclear spin, a high frequency ESR experiment on Si:P with $n = 6.5 \times 10^{16} cm^{-3}$ was carried out in a high magnetic field of 2.87 T (80 GHz) and at temperatures from 48 K down to 1.8 K. As the tem...한국과학기술원 : 물리학과

Charge Selective Interfacial Transport Layer, And Organic Electronic Device Using The Same

본 발명은 높은 전하 전송 효율 및 선택성을 가지는 전하선택적 계면전송층 및 이를 이용한 유기전자장치에 관한 것으로서, 자세하게는 i) 무기 반도체 물질(inorganic semiconducting material)과 ii) 상기 무기 반도체 물질과의 접촉 계면에 자발분극(spontaneous dipolar polarization)을 통한 다이폴(dipole)을 유도할 수 있는 물질로 구성된 전하선택적 계면전송층을 이용하여 유기 발광다이오드(OLED), 유기 솔라셀 (organic solar cells), 유기 트랜지스터 (organic TFTs), 유기 메모리, 유기 센서 등 유기 반도체를 이용한 다양한 유기전자 소자에 적용하는 기술에 대한 것이다

CERMET AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

본 발명은 써멧 및 그 제조 방법에 관한 것으로서, 본 발명의 일 실시예에 따른 써멧은 탄소계 물질; 티타늄계 물질; 및 Fe, Ni, Mo, Cr, Si, Mn 및 Cu로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 어느 하나 이상을 포함하는 합금 기지;를 포함할 수 있다

Advanced Full-Color Perovskite Nanocrystal Patterning for Next-Generation Ultrathin Skin-Attachable Displays

We present a novel ultrahigh-resolution perovskite nanocrystal (PeNC) patterning technique for ultrathin wearable displays. Our method employs double-layer transfer printing to layer PeNCs and organic charge transport layers, preventing internal cracking and achieving RGB pixelated patterns at 2550 PPI and monochromatic patterns at 33,000 line pairs per inch. The resulting perovskite light-emitting diodes (PeLEDs) display exceptional electroluminescence, with quantum efficiencies significantly higher than previously reported printed PeLEDs. This technology enables the creation of flexible, multicolor PeLEDs that adhere to curvilinear surfaces, including human skin, supporting various mechanical deformations. These advancements suggest significant potential for PeLEDs in future high-definition wearable displays