DISPOSITION OF MICRO-LENS AND THE FORMATION METHOD OF THE SAME

본 발명은 미세렌즈 배열 및 그의 형성방법에 관한 것이다. 본 발명의 미세렌즈 배열은 유리판의 일면에 원뿔형태를 지닌 복수개의 전면 미세렌즈가 구성된 전면 미세렌즈군 ; 및, 전기 유리판의 반대면에 전기한 전면 미세렌즈 각각의 중심점과 엇갈리는 중심점을 지니며 원뿔형태를 지닌 복수개의 이면 미세렌즈가 구성된 이면 미세렌즈군을 포함한다. 또한, 본 발명의 미세렌즈 배열 형성방법은 유리판의 전면에 SOG(spin-on-glass)막을 형성하여 SOG막의 상면에 포토레지스트를 입히고 포토레지스트의 표면에 마스크를 대고 빛을 조사하여 포토레지스트를 선택적으로 감광 및 현상시켜 전면 포토레지스트 패턴배열을 형성하는 단계 ; 전기한 전면 포토레지스트 패턴배열 형성단계와 동일한 방법을 사용하여 전기 유리판의 후면에 전면 포토레지스트 패턴배열의 패턴 중심점에 중항에 후면 포토레지스트 패턴의 중심점이 위치하도록 후면 포토레지스트 패턴배열을 형성하는 단계 ; 및, 전기한 단계에 의해 유리판의 양면에 포토레지스트 패턴배열이 형성된 유리판을 불산용액으로 식각하여 원뿔형태의 미세렌즈를 형성하는 단계를 포함한다

LASER DIODE USED OPTOELECTRONIC INTERATED CIRCUIT AND ITS MANUFACTURE METHOD

본 발명은 광전집적회로용 레이저 다이오드 및 그의 제조방법에 관한 것이다. 좀더 구체적으로, 본 발명은 낮은 구동전류에서도 동작이 가능하도록 지붕형 반사기가 형성된 광전집적회로용 레이저 다이오드 및 그의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명의 레이저 다이오드는 기판(31); 전기한 기판(31)의 상면에 형성되며 N-클래딩층(32) 및 수동도파층(33)으로 구성된 도파로; 전기한 도파로의 상면에 분리층(34), 활성층(35), P-클래딩층(36) 및 p-저항층(37)이 차례로 적층되어 구성되며 지붕형 반사기를 지닌 능동도파로; 전기 능동도파로의 상면에 구성되며 선형전극창(41)이 형성된 SiO2막(38); 전기 SiO2막(38)의 상면에 형성된 금속재의 상부전극층(39); 및 전기 기판(31)의 하단면에 형성된 금속재의 하부전극층(40)을 포함한다. 본 발명의 광전집적회로용 레이저 다이오드는 레이저 다이오드로부터 발생된 빛의 이용효율이 우수하고 낮은 문턱전류를 지녀 작은 구동전류에 의해서도 원활한 동작이 가능하며, 광전집적회로 상에 집적이 용이하고 간편하게 제조할 수 있다. 또한, 본 발명의 제조방법에 의해 전기한 레이저 다이오드를 간단한 공정에 의해 경제적으로 제조할 수 있다

이중 도파로 구조에 의한 지붕형 반사기를 가진 레이저 다이오드와 광도파로의 집적

학위논문(박사) - 한국과학기술원 : 전기및전자공학과, 1995.2, [ iv, 88 p. ]Integration of optical devices and waveguide is a key to the realization of the optical integrated circuit. Integrated twin guide laser diode (ITG LD) with etched roof-top reflectors (RTR) at both side is proposed as a integrated light source. Since RTR can totally reflect incident beams threshold current (Ith) of ITG LD can be reduced by adopting RTR. Conical microlens arrays are formed on a glass plate by simply spin-coating spin-on-glass film on the glass and patterning photoresist, then etching the glass in HF solution. These arrays can be used for obtaining more uniform irradiance profiles from non uniform incoherent sources. Transverse electric field distributions in the twin-guide structure and power coupling between active and passive guiding layers are calculated by rigorous normal mode method. Threshold gain (Gth) and transmission into the outer single guide according to cavity length are also obtained. Optimum layer design parameters are determined. Characteristics of twin-guide can be significantly changed by lasing wavelength variation and fluctuations in material parameters. Twin-guide LD layers are grown by AP-MOCVD and etched RTR mirrors are formed by chemically assisted ion beam etching (CAIBE). Light-current characteristics are measured for LD with various mirror configurations. As stripe width increases, RTR gives lower threshold current than cleaved facet or etched straight mirror. This is because RTR has higher reflectivy for most region, but has radiation and scattering loss at the corner region. Carrier distribution and lateral modes of gain-guided stripe LD are obtained. Near field patterns of RTR LD are similar to those of cleaved facet LD up to stripe width of 10$\mu m$. But, RTR LD strongly favors odd mode operation for stripe width of 20$\mu m$. Longtudinal mode selection property of coupled cavity is seen in spectra. Reflection modulation according to wavelength occurs in twin-guide LD with etched RTR. This gives threshold gain modu...한국과학기술원 : 전기및전자공학과

Characterization of AlAs/GaAs superlattice grown by MOCVD

학위논문(석사) - 한국과학기술원 : 전기 및 전자공학과, 1989.2, [ ii, 31 p. ]한국과학기술원 : 전기 및 전자공학과

Design of a DSRR FSS for CDMA/RFID Isolation

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DSRR을 이용한 주파수 선택적 표면 설계

22kc

등가회로 모델을 이용한 Jerusalem AMC 의 이동통신 대역폭 해석

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