La R\ue9volution souterraine. Voyage autour du roman f\ue9minin en France, 1830-1875

Le XIXe si\ue8cle voit l\u2019essor d\u2019un grand nombre de femmes \ue9crivains. Cependant, \ue0 l\u2019exception de Mme de Sta\uebl et de George Sand, la plupart restent m\ue9connues. Le but de ce travail est d\u2019\ue9tudier les \u153uvres de dix d\u2019entre elles, contemporaines de George Sand: Juliette Adam, Marie d\u2019Agoult, Hortense Allart, Am\ue9lie Bosquet, Louise Colet, Marceline Desbordes-Valmore, Delphine de Girardin, Andr\ue9 L\ue9o, Ana\uefs S\ue9galas, Flora Tristan. Toutes ont \ue9crit des romans, forme retenue ici comme espace textuel privil\ue9gi\ue9 o\uf9 la pulsion de narrer c\uf4toie la r\ue9flexion philosophique ou la r\ue9f\ue9rence autobiographique, la passion po\ue9tique comme la revendication militante. La premi\ue8re partie pr\ue9sente auteurs et \u153uvres dans leur contexte, ainsi que le corpus des romans \ue9tudi\ue9s, \ue0 partir du paratexte et des sous-genres auxquels ils font r\ue9f\ue9rence. La deuxi\ue8me partie construit une vie de femme en quelque sorte paradigmatique, telle qu\u2019elle ressort de ces textes, incluant les r\ue9cits d\u2019enfance et d\u2019adolescence des romans d\u2019apprentissage, mais aussi les th\ue8mes qui s\u2019imposent \ue0 l\u2019\ue2ge adulte: les exigences du corps et de ses d\ue9sirs, la vie en couple, la maternit\ue9 et le travail. L\u2019analyse des romans mettant en sc\ue8ne des artistes femmes permet de remonter de la femme \ue9crite \ue0 l\u2019\ue9crivain. Dans une troisi\ue8me partie, sont alors examin\ue9es les questions esth\ue9tiques et identitaires formul\ue9es et r\ue9solues par ces auteurs, face \ue0 la doxa et aux probl\ue9matiques de la r\ue9ception de leurs \u153uvres dans la presse de l\u2019\ue9poque. Trois appendices pr\ue9sentent les biographies de ces femmes \ue9crivains, puis la transcription de lettres, pour la plupart in\ue9dites, qu\u2019elles ont \ue9chang\ue9es entre elles ou avec leurs \ue9diteurs et enfin les r\ue9sum\ue9s des \u153uvres \ue9tudi\ue9es. Une bibliographie d\ue9taill\ue9e et une vid\ue9ographie compl\ue8tent ces informations. Se manifeste ainsi dans ce parcours l\u2019utilisation multiple de la forme romanesque de la part de ces femmes. Mettant en jeu ce qu\u2019on appellerait aujourd\u2019hui la responsabilit\ue9 de l\u2019auteur, la programmation de la lecture ou l\u2019exemplarit\ue9 du r\ue9cit, elles s\ue8ment les germes d\u2019une r\ue9volution souterraine visant \ue0 changer les mentalit\ue9s et \ue0 promouvoir les valeurs f\ue9minines. Elles offrent \ue9galement au lecteur le plaisir d\u2019une d\ue9couverte: celle d\u2019un univers qui redouble le monde de la litt\ue9rature \uabofficielle\ubb et qui, par rapport \ue0 celui-ci, regarde et conte le XIXe si\ue8cle d\u2019un point de vue semblable et diff\ue9rent tout \ue0 la fois, enrichissant beaucoup la perception des racines de notre champ litt\ue9raire actuel

Nanocrystalline silicon films for photovoltaic and optoelectronic applications

The primary aim of this research project is to develop computational tools capable of assisting the design of a new nc-Si growth process with a Low Energy variant of a Plasma Enhanced Chemical Vapour Deposition (LEPECVD) reactor, addressed at the deposition of nc-Si films for both photovoltaic and optoelectronic applications. This objective is for many aspects really at the frontier of the today knowledge of multiphase materials, and for this reason requires the involvement of different theoretical and experimental tools and expertises. An LEPECVD reactor is actually in full use in one of the partner’s laboratories and has been already demonstrated to be a very powerful tool for high growth rate, high quality epitaxial silicon and silicon-germanium films. The modelling activities include Molecular dynamics (MD) and abinitio calculations applied to the simulation of the growth of nc-Si grains in a amorphous silicon (a- Si) matrix, to the evaluation of the best a-Si/ nc-Si ratio and the elastic/plastic effects consequent to the presence of nanocrystals of silicon in the a-Si matrix and to the presence of a grain boundary phase, which could be responsible of unwanted carrier recombination processes. The computational tools will be also used to evaluate the band offset vs microstructure and strain, in view of the fine-tuning of the optoelectronic properties. As the computer modelling could not be granted for a complete forecasting of the role of process parameters on the local nanostructural aspects and associated physical properties, additional theoretical studies on quantum confinement will be carried out. Such theoretical studies will be based on the results of systematic measurements of optoelectronic properties of nc-Si. The development of the computer modelling and of theoretical studies on quantum confinement will be paralleled, from the very early stage of the Project, by nc-Si growth experiments and by state of the art morphological, microstructural, compositional, electrical and optoelectronic characterization