ФІЗИЧНІ ЯВИЩА ТА ЗОННІ ПАРАМЕТРИ КРИСТАЛІВ (3HgSe)1-x(Al2Se3)x, ЛЕГОВАНИХ МАРГАНЦЕМ

Magnetic susceptibility of (χ) crystals (3HgSe)1-x(Al2 Se3 )x (õ=0,1) (doped by manganese) is investigated at the interval of temperatures Ò=77 — 300 K at Í=4 kOe by the method of Faraday before and after the heat treatment of samples in vapour of selenium. It is established, that features χ are caused by the presence in crystals of such clusters as Mn-Så-Mn-Så, of different size, in which the indirect exchange interaction of antiferromagnetic character between the Mn atoms through the atoms of chalcogenide is carried out. Heat treatment of samples in vapour of selenium has a low influence on χ of the crystals. Researches of kinetic factors of crystals (3HgSe)1-x(Al2 Se3 )x (õ=0,1) (doped by manganese) are carried out during the interval Ò=77-300Ê and Í=0.5-5 kOe before and after the heat treatment of samples in vapour of selenium. Before the heat treatment factor of the Hall (RH) in researched crystals does not depend on temperature, thermoelectric motive power increases with the growth of temperature, electroconductivity crystals has metal character and almost linearly depends on a temperature which specifies on possibility to use these materials as sensors of temperature. Heat treatment of samples in vapour of selenium results in the change of the electrons concentration. It was gotten dependence on temperature of effective mass of electrons at the Fermi level.Магнитная восприимчивость (χ) кристаллов (3HgSe)1-х(Al2Se3)x (х=0,1) (легированных марганцем) исследована в интервале температур Т=77 — 300 К при Н=4 кЭ методом Фарадея до и после термообработки образцов в парах селена. Установлено, что особенности χ обусловлены наличием в кристаллах кластеров типа Mn–Se–Mn–Se разных размеров, в которых между атомами Mn через атомы халькогена осуществляется непрямое обменное взаимодействие антиферромагнитного характера. Термообработка образцов в парах селена слабо влияет на χ кристаллов. Исследования кинетических коэффициентов кристаллов (3HgSe)1-х(Al2 Se3)x (х=0,1) (легированных марганцем) проведены в интервале Т=77-300К и Н=0,5-5 кЭ до и после термообработки образцов в парах селена. До термообработки коэффициент Холла (RH) в исследуемых кристаллах не зависит от температуры, термо-эдс увеличивается с ростом температуры, электропроводность кристаллов имеет металлический характер и почти линейно зависит от температуры, что указывает на возможность использования этих материалов в качестве датчиков (сенсоров) температуры. Термообработка образцов в парах селена приводит к изменению концентрации электронов. Получена зависимость эффективной массы электронов на уровне Ферми от температуры.Магнітна сприйнятливість (χ) кристалів (3HgSe)1-x(Al2 Se3)x (х=0,1), легованих марганцем, досліджена в інтервалі температур Т=77 — 300 К при Н=4 кЕ методом Фарадея до і після термообробки зразків в парах селену. Встановлено, що особливості χ обумовлені наявністю в кристалах кластерів типу Mn–Se–Mn–Se різних розмірів, в яких між атомами Mn через атоми халькогена здійснюється непряма обмінна взаємодія антиферомагнітного характеру. Термообробка зразків в парах селену слабо впливає на χ кристалів. Дослідження кінетичних коефіцієнтів кристалів (3HgSe)1-x(Al2Se3)x (х=0,1) (легованих марганцем) проведені в інтервалі Т=77-300К і Н=0,5-5 кЕ до і після термообробки зразківв парах селену. До термообробки коефіцієнт Холла (RH) в досліджуваних кристалах не залежить від температури, термо-ерс збільшується з ростом температури, електропровідність кристалів має металічний характер і майже лінійно залежить від температури, що вказує на можливість використання цих матеріалів як датчиків (сенсорів) температури. Термообробка зразків в парах селену приводить до зменшення концентрації електронів. Одержано залежність ефективної маси електронів на рівні Фермі від температури

Electrical and photoelectric properties of heterostructures NiO/p-CdTe and NiO/n-CdTe

In this study, we investigate the electrical and photoelectric properties of heterostructures formed by the reactive magnetron sputtering of thin film NiO onto p-CdTe and n-CdTe substrates. The current-voltage characteristics of the heterojunctions were measured at room temperature. The dominating current transport mechanisms through the NiO/n-CdTe and NiO/p-CdTe heterojunctions at the forward biases are generation-recombination and tunnel, at the reverse biases is tunnel current transport mechanisms. The heterojunctions under investigation generate open-circuit voltage Uoc = 0.26 V and short-circuit current Isc = 58.7 µÀ/cm2 under illumination 80 mW/cm–2. The research results can be used for better understanding of the processes occurring in heterojunctions NiO/n-CdTe and NiO/p-CdTe, to further improve their properties and parameters.</jats:p

КОЕФІЦІЄНТ ТЕРМОЕЛЕКТРИЧНОЇ ДОБРОТНОСТІ КРИСТАЛІВ Hg1-xMnxS і Hg1-x-уMnxFeyS

In this work we have valued the coefficient of crystals’ Hg1-xMnxS and Hg1-x-óMnxFeyS thermoelectrical quality on the basis of electric conductivity and termo e.m.p. research. On the basis of the received values Z we can draw the conclusion as for the possibility of usage of these materials in thermoelectrical devices.В данной работе на основе исследований электропроводности и термо-э.р.с. проведена оценка величины коэффициента термоэлектрической добротности (Z) кристаллов Hg1-xMnxS и Hg1-x-уMnxFeyS. На основе полученных значений Z можно сделать заключения о возможности использования указанных материалов в термоэлектрических устройствах.В даній роботі на основі досліджень електропровідності і термо-е.р.с. проведена оцінка величини коефіцієнта термоелектричної добротності (Z) кристалів Hg1-xMnxS і Hg1-x-уMnxFeyS. На основі одержаних значень Z можна робити висновки про можливості використання цих матеріалів у термоелектричних пристроях

Electrical and photoelectric properties of heterostructures NiO/p-CdTe and NiO/n-CdTe

In this study, we investigate the electrical and photoelectric properties of heterostructures formed by the reactive magnetron sputtering of thin film NiO onto p-CdTe and n-CdTe substrates. The current-voltage characteristics of the heterojunctions were measured at room temperature. The dominating current transport mechanisms through the NiO/n-CdTe and NiO/p-CdTe heterojunctions at the forward biases are generation-recombination and tunnel, at the reverse biases is tunnel current transport mechanisms. The heterojunctions under investigation generate open-circuit voltage Uoc = 0.26 V and short-circuit current Isc = 58.7 μA/cm2 under illumination 80 mW/cm-2. The research results can be used for better understanding of the processes occurring in heterojunctions NiO/ n-CdTe and NiO/p-CdTe, to further improve their properties and parameters