Fabrication et caractérisation de MOSFET III-V à faible bande interdite et canal ultra mince

Les MOSFETs ultra-thin body UTB ont été fabriqués avec une technologie auto-alignée. Le canal conducteur est constitué d’InGaAs à 75% de taux d’indium ou d’un composite InAs/In0,53Ga0,47As. Une fine couche d'InP (3 nm) a été insérée entre le canal et l'oxyde, afin d’éloigner les défauts de l’interface oxyde-semiconducteur du canal. Enfin, une épaisseur de 4 nm d'oxyde de grille (Al2O3) a été déposée par la technique de dépôt des couches atomiques. Les contacts ohmiques impactent les performances des MOSFETs. La technologie UTB permet difficilement d’obtenir des contacts S/D de faibles résistances. De plus, l’utilisation de la technique d’implantation ionique pour les architectures UTB est incompatible avec le faible budget thermique des matériaux III-V et ne permet pas d’obtenir des contacts ohmiques de bonne qualité. Par conséquent, nous avons développé une technologie auto-alignée, basée sur la diffusion du Nickel « silicide-like » par capillarité à basse température de recuit (250°C) pour la définition des contacts de S/D. Finalement, nous avons étudié et analysé la résistance de l'alliage entre le Nickel et les III-V. A partir de cette technologie, des MOSFET In0,75Ga0,25As et InAs/In0,53Ga0,47As ont été fabriqués. On constate peu de différences sur les performances électriques de ces deux composants. Pour le MOSFET InAs/InGaAs ayant une longueur de grille LG =150 nm, un courant maximal de drain ID=730 mA/mm, et une transconductance extrinsèque maximale GM, MAX = 500 mS/mm ont été obtenu. Le dispositif fabriqué présente une fréquence de coupure fT égale à 100 GHz, et une fréquence d'oscillation maximale fmax de 60 GHz, pour la tension drain-source de 0,7 V.Abstract : Silicon-based devices dominate the semiconductor industry because of the low cost of this material, its technology availability and maturity. However, silicon has physical limitations, in terms of mobility and saturation velocity of the carriers, which limit its use in the high frequency applications and low supply voltage i.e. power consumption, in CMOS technology. Therefore, III-V materials like InGaAs and InAs are good candidates because of the excellent electron mobility of bulk materials (from 5000 to 40.000 cm2 /V.s) and the high electron saturation velocity. We have fabricated ultra-thin body (UTB) InAs/InGaAs MOSFET with gate length of 150 nm. The frequency response and ON-current of the presented MOSFETs is measured and found to have comparable performances to the existing state of the art MOSFETs as reported by the other research groups. The UTB MOSFETs were fabricated by self-aligned method. Two thin body conduction channels were explored, In0,75Ga0,25As and a composite InAs/In0,53Ga0,47As. A thin upper barrier layer consisting of InP (3nm) is inserted between the channel and the oxide layers to realized a buried channel. Finally, the Al2O3 (4 nm) was deposited by the atomic layer deposition (ALD) technique. It is well known that the source and drain (S/D) contact resistances of InAs MOSFETs influence the devices performances. Therefore, in our ultra-thin body (UTB) InAs MOSFETs design, we have engineered the contacts to achieve good ohmic contact resistances. Indeed, for this UTB architecture the use of ion implantation technique is incompatible with a low thermal budget and cannot allow to obtain low resistive contacts. To overcome this limitation, an adapted technological approach to define ohmic contacts is presented. To that end, we chose low thermal budget (250°C) silicide-like technology based on Nickel metal. Finally, we have studied and analyzed the resistance of the alloy between Nickel and III-V (Rsheet). MOSFET with two different epilayer structures (In0,75Ga0,25As and a composite InAs/In0,53Ga0,47As) were fabricated with a gate length (LG) of 150 nm. There were few difference of electrical performance of these two devices. We obtained a maximum drain current (ION) of 730 mA/mm, and the extrinsic transconductance (GM, MAX) showed a peak value of 500 mS/mm. The devices exhibited a current gain cutoff frequency fT of 100 GHz and maximum oscillation frequency fmax of 60 GHz for drain to source voltage (VDS) of 0.7 V

Efectividad de la bromelaína tópica en el desbridamiento de escaras en adultos con quemaduras térmicas

ntroducción: Las quemaduras son una de las principales causas de accidentes domésticos . El tratamiento de éstas es el manejo inicial del paciente basado en aseos quirúrgicos, curaciones y escarectomías en unidades especializadas respetando las condiciones de asepsia , aunque se ha estudiado que éste posee una serie de desventajas para el pac iente, por eso, las nuevas investigaciones van encaminadas a la búsqueda de nuevos fármacos para el tratamiento de las quemaduras. Para ello, aparece el Nexobrid®, producto a base de proteínas enzimáticas cuya función es el desbridamiento enzimático. Objet ivos : Evaluar la efectividad del tratamiento con Nexobrid ® en pacientes con quemaduras superficiales e intermedias y comparar los resultados de eficacia y seguridad frente a una cohorte retrospectiva de pacientes con similares características. Métodos y m ateriales: Estudio de cohortes, retrospectivo y descriptivo realizado en un hospital de tercer nivel (HU Virgen del Rocío). Las variables demográficas y clínicas fueron recogidas tras el consentimiento informado a los pacientes mediante la Historia Clínica (D IRAYA ) y analizados estadísticamente mediante el programa SPSS v. 22 . Resultados : El grupo Nexobrid ® formado por 14 pacientes mientras que el grupo control por 42 pacientes . Los requerimientos sanguíneos y la tasa de cobertura con injertos mostraron gra ndes diferencias significativas entra las dos cohortes estudiadas mientras que el resto de las variables clínicas recogidas no difirieron unas de otras. Discusión : Este fármaco permite el tratamiento de quemaduras superficiales e intermedias debido a su s electividad, evitando el uso de métodos agresivos mejorando la recuperación del paciente. Conclusión : El tratamiento con Nexobrid ® es seguro y eficaz para la eliminación de la s escara s post - quemadura, permitiendo la conservación de la dermis sana.Universidad de Sevilla. Grado en Farmaci

Contemporary management of mature permanent teeth with pulp exposure due to caries

Introducción: Históricamente, se ha desaconsejado el uso de la terapia pulpar vital (TPV) en dientes permanentes maduros con exposición pulpar por caries, y se ha recomendado en estas situaciones realizar una pulpectomía. Objetivos: El presente trabajo tiene como objetivos comprobar si existe evidencia científica que justifique realizar TPV en dientes permanentes adultos con exposición pulpar por caries, establecer el protocolo clínico más adecuado en este tipo de situaciones, además de determinar los materiales más recomendados para ello. Método: se utilizó para la búsqueda de la literatura científica la base de datos PubMed. Los términos Mesh y palabras claves empleadas fueron los siguientes: ("carious exposure" OR "pulp exposure") AND ("mature teeth" OR "permanent teeth" OR "closed apices") AND ("vital pulp therapy" OR “treatment” OR “management”). Resultados: para asegurar el éxito de la TPV es crucial valorar la hemorragia pulpar y no guiarse solo por los signos y síntomas preoperatorios. No controlar el sangrado en un tiempo razonable (2-10 minutos), indica que no se ha eliminado por completo la pulpa inflamada y entonces el tratamiento deberá modificarse pasando del recubrimiento pulpar directo (RPD) a pulpotomía parcial, de ésta a pulpotomía total o a pulpectomía. Conclusiones: Existe evidencia científica de que la TPV es una terapia válida y segura en dientes permanentes maduros con pulpa sana o pulpitis reversible cuando se produce la exposición por caries. Algunos autores sugieren que la terapia vital pulpar podría ser válida en dientes con pulpitis irreversible o periodontitis apical, pero se necesitan más estudios dada la heterogeneidad de los resultados.Introduction: Historically, the use of Vital Pulp therapies (VPT) has been discouraged in mature permanent teeth with pulp exposure as a consequence of caries removal, recommending pulpectomy in these scenarios. Objectives: The aim of this study was to determine whether there is scientific evidence that justifies Vital Pulp Therapies in mature permanent teeth with pulp exposure due to caries, to establish the most appropriate clinical protocol in this cases, and to identify the most recommended materials for this procedures. Method: PubMed database was used to search the scientific literature, since it is the main database used by the health sciences professionals. The Mesh terms and keywords used were: ("carious exposure" OR "pulp exposure") AND ("mature teeth" OR "permanent teeth" OR "closed apices") AND ("vital pulp therapy" OR "treatment" OR "management"). Results: To ensure the success of vital pulp therapies it is important to evaluate pulp hemorrhage and not be simply guided by preoperative signs and symptoms. Failure to control bleeding within a reasonable time (2-10 minutes) indicates that the inflamed pulp has not been completely removed and then the treatment procedure should be modified from direct pulp capping to partial pulpotomy, from partial pulpotomy to total pulpotomy or pulpectomy. Conclusions: The scientific evidence supports that pulp vital therapies are useful and reliable therapies in mature permanent teeth with sound pulp or reversible pulpitis when caries exposure occurs. Some authors suggest that pulp vital therapy could be also effective in teeth with irreversible pulpitis or apical periodontitis, but further studies are needed due to the heterogeneity of the results.Universidad de Sevilla. Máster Oficial en Odontología Restauradora Estética y Funciona

Fabrication and characterization of MOSFET III-V with small GaP and ultra thin body

Les MOSFETs ultra-thin body UTB ont été fabriqués avec une technologie auto-alignée. Le canal conducteur est constitué d’InGaAs à 75% de taux d’indium ou d’un composite InAs/In0,53Ga0,47As. Une fine couche d'InP (3 nm) a été insérée entre le canal et l'oxyde, afin d’éloigner les défauts de l’interface oxyde-semiconducteur du canal. Enfin, une épaisseur de 4 nm d'oxyde de grille (Al2O3) a été déposée par la technique de dépôt des couches atomiques. Les contacts ohmiques impactent les performances des MOSFETs. La technologie UTB permet difficilement d’obtenir des contacts S/D de faibles résistances. De plus, l’utilisation de la technique d’implantation ionique pour les architectures UTB est incompatible avec le faible budget thermique des matériaux III-V et ne permet pas d’obtenir des contacts ohmiques de bonne qualité. Par conséquent, nous avons développé une technologie auto-alignée, basée sur la diffusion du Nickel « silicide-like » par capillarité à basse température de recuit (250°C) pour la définition des contacts de S/D. Finalement, nous avons étudié et analysé la résistance de l'alliage entre le Nickel et les III-V. A partir de cette technologie, des MOSFET In0,75Ga0,25As et InAs/In0,53Ga0,47As ont été fabriqués. On constate peu de différences sur les performances électriques de ces deux composants. Pour le MOSFET InAs/InGaAs ayant une longueur de grille LG =150 nm, un courant maximal de drain ID=730 mA/mm, et une transconductance extrinsèque maximale GM, MAX = 500 mS/mm ont été obtenu. Le dispositif fabriqué présente une fréquence de coupure fT égale à 100 GHz, et une fréquence d'oscillation maximale fmax de 60 GHz, pour la tension drain-source de 0,7 V.The UTB MOSFETs were fabricated by self-aligned method. Two thin body conduction channels were explored, In0,75Ga0,25As and a composite InAs/ In0,53Ga0,47As. A thin upper barrier layer consisting of InP (3nm) is inserted between the channel and the oxide layers to realized a buried channel. Finally, the Al2O3 (4 nm) was deposited by the atomic layer deposition (ALD) technique. It is well known that the source and drain (S/D) contact resistances of InAs MOSFETs influence the devices performances. Therefore, in our ultra-thin body (UTB) InAs MOSFETs design, we have engineered the contacts to achieve good ohmic contact resistances. Indeed, for this UTB architecture the use of ion implantation technique is incompatible with a low thermal budget and cannot allow to obtain low resistive contacts. To overcome this limitation, an adapted technological approach to define ohmic contacts is presented. To that end, we chose low thermal budget (250°C) silicide-like technology based on Nickel metal. Finally, we have studied and analyzed the resistance of the alloy between Nickel and III-V (Rsheet). MOSFET with two different epilayer structures (In0,75Ga0,25As and a composite InAs/ In0,53Ga0,47As) were fabricated with a gate length (LG) of 150 nm. There were few difference of electrical performance of these two devices. We obtained a maximum drain current (ION) of 730 mA/mm, and the extrinsic transconductance (GM, MAX) showed a peak value of 500 mS/mm. The devices exhibited a current gain cutoff frequency fT of 100 GHz and maximum oscillation frequency fmax of 60 GHz for drain to source voltage (VDS) of 0.7 V