Cloud Computing Security Issues

Features of cloud services are described. Different models of cloud deployment are compared. Analyzed the disadvantages of cloud computing

Zr3NiSb7: a new anti­mony-enriched ZrSb2 derivative

Single crystals of trizirconium nickel hepta­anti­monide were synthesized from the constituent elements by arc-melting. The compound crystallizes in a unique structure type and belongs to the family of two-layer structures. All crystallographically unique atoms (3 × Zr, 1 × Ni and 7 × Sb) are located at sites with m symmetry. The structure contains ‘Zr2Ni2Sb5’ and ‘Zr4Sb9’ fragments and might be described as a new ZrSb2 derivative with a high Sb content

Interaction between the components in Tm-Cr-Ge system at 1070 K

The phase equilibrium diagram of the Tm-Cr-Ge ternary system was constructed at a temperature 1070 K based on the results of X-ray phase, microstructural analyzes and energy-dispersive X-ray spectroscopy in the whole concentration range. At the temperature of investigation, two new ternary compounds are realized in the system: TmCr6Ge6 (SmMn6Sn6 structure type, space group P6/mmm, a=0.51506(1), c=0.82645(2) nm) and Tm4Cr4Ge7 (Zr4Co4Ge7 structure type, space group I4/mmm, а=1.39005(9), с=0.54441(1) nm). Inclusion of Cr atoms in the structure of the binary germanide TmGe2 (structure type ZrSi2) up to 10 at. % Cr leads to the formation of a solid solution TmCrxGe2 (x = 0-0.33)

Phase equilibrium diagram of Y-Cu-Sb system at 870 K

The interaction of the components in the Y-Cu-Sb ternary system was investigated using the methods of X-ray phase analysis, microstructure, and energy-dispersive X-ray spectroscopy in the whole concentration range at 870 K. At the temperature of investigation Y-Cu-Sb system is characterized by the formation of three ternary compounds: Y3Cu22Sb9 (Dy3Cu20+xSb11-x structure type, space group F-43m, a=1.6614(3) nm), Y3Cu3Sb4 (Y3Au3Sb4 structure type, space group I-43d, а = 0.95357(5) nm), YCuSb2 (HfCuSi2 structure type, space group P4/nmm, a = 0.42580(1), c = 0.98932(3) nm). The solubility of copper in the binary compound YSb (NaCl structure type) extends up to 8 at. %

Взаємодія компонентів у системі Tm-Cr-Ge при 1070 K

The phase equilibrium diagram of the Tm–Cr–Ge ternary system was constructed at a temperature 1070 K based on the results of X-ray phase, microstructural analyzes and energy-dispersive X-ray spectroscopy in the whole concentration range. At the temperature of investigation, two new ternary compounds are realized in the system: TmCr6Ge6 (SmMn6Sn6 structure type, space group P6/mmm, a=0.51506(1), c=0.82645(2) nm) and Tm4Cr4Ge7 (Zr4Co4Ge7 structure type, space group I4/mmm, а=1.39005(9), с=0.54441(1) nm). Inclusion of Cr atoms in the structure of the binary germanide TmGe2 (structure type ZrSi2) up to 10 at. % Cr leads to the formation of a solid solution TmCrxGe2 (x = 0-0.33).Діаграму фазових рівноваг потрійної системи Tm–Cr–Ge побудовано при температурі 1070 К за результатами рентгенофазового, мікроструктурного аналізів та енергодисперсійної рентгенівської спектроскопії в повному концентраційному інтервалі. За температури дослідження в системі утворюються дві нові тернарні сполуки TmCr6Ge6 (структурний тип SmMn6Sn6, просторова група P6/mmm, a=0.51506(1), c=0.82645(2) нм) і Tm4Cr4Ge7 (структурний тип Zr4Co4Ge7, просторова група I4/mmm, а=1.39005(9), с=0.54441(1) нм). Включення атомів Cr в структуру бінарного германіду TmGe2 (структурний тип ZrSi2) до вмісту 10 aт. % Cr приводить до утворення твердого розчину TmCrxGe2 (x=0-0.33)

Дослідження електронної структури напівпровідникового твердого розчину Zr1-xVxNiSn

The peculiarities of electronic and crystal structures of Zr1-xVxNiSn (x = 0 - 0.10) semiconductive solid solution were investigated. To predict Fermi level εF behavior, band gap εg and electrokinetic characteristics of Zr1-xVxNiSn, the distribution of density of electronic states (DOS) was calculated. The mechanism of simultaneous generation of structural defects of donor and acceptor nature was determined based on the results of calculations of electronic structure and measurement of electrical properties of Zr1-xVxNiSn semiconductive solid solution. It was established that in the band gap of Zr1-xVxNiSn the energy states of the impurity donor εD2 and acceptor εA1 levels (donor-acceptor pairs) appear, which determine the mechanisms of conduction of semiconductor.Досліджено особливості електронної та кристалічної структур напівпровідникового твердого розчину Zr1-xVxNiSn (х = 0 – 0,10). Для прогнозування поведінки рівня Фермі εF, ширини забороненої зони εg та кінетичних характеристик Zr1-xVxNiSn розраховано розподіл густини електронних станів (DOS). За результатами розрахунків електронної структури та вимірювання електротранспортних властивостей напівпровідникового твердого розчину Zr1-xVxNiSn визначено механізм одночасного генерування структурних дефектів донорної та акцепторної природи. Встановлено, що у забороненій зоні      Zr1-xVxNiSn з’являються енергетичні стани домішкових донорної εD2 та акцепторної εA1 зон (донорно-акцепторні пари), які визначають механізми електропровідності напівпровідника

Вплив сильного легування інтерметалічного напівпровідника TiCoSb атомами Cr на структурні, кінетичні та енергетичні властивості

The structural, electrokinetic, and energetic properties of the TiСо1-xCrxSb semiconductor obtained by doping TiCoSb with Cr atoms introduced into the structure by substituting Co atoms in the crystallographic position 4c were studied. It was shown that in TiСо1-xCrxSb the structural defects of donor and acceptor nature are generated simultaneously in different ratios depending on the impurity concentration. At concentrations of х ≥ 0.02, the conductivity of TiСо1-xCrxSb has a metallic character, and the contribution of current carrier scattering mechanisms to the value of electrical resistivity is of the same order as changes in the concentration of current carriers. It was established that at all temperatures in the range of concentrations x = 0–0.02, the rate of generation of donors exceeds the rate of generation of acceptors, and at concentrations x > 0.02, on the contrary, the rate of generation of acceptors is greater than that of donors. This is indicated by the positive values of thermopower coefficient α(х,Т) of TiСо1-xCrxSb for х > 0.03.Досліджено структурні, електрокінетичні та енергетичні властивості напівпровідника TiСо1-xCrxSb, отриманого легуванням TiCoSb атомами Cr, уведеними у структуру шляхом заміщення у кристалографічній позиції 4c атомів Co. Показано, що у TiСо1-xCrxSb одночасно у різних співвідношеннях залежно від концентрації домішки генеруються структурні дефекти донорної та акцепторної природи. За концентрацій х≥0.02 провідність TiСо1-xCrxSb носить металічний характер, а внесок від дії механізмів розсіювання носіїв струму у значення електроопору є одного порядку зі змінами концентрації носіїв струму. Встановлено, що за всіх температур на ділянці концентрацій х=0–0.02 швидкість генерування донорів переважає швидкість генерування акцепторів, а за концентрацій х>0.02 навпаки, швидкість генерування акцепторів є більшою, ніж донорів. На це вказують додатні значення термо-ерс α(х,Т) TiСо1-xCrxSb за х>0.03

Дослідження термоелектричного матеріалу на основі твердого розчину Lu1-xZrxNiSb. II. Моделювання характеристик

The KKR (AkaiKKR software package) and FLAPW (Elk software package) methods were used to model the structural, thermodynamic, energetic, and electrokinetic characteristics of the Lu1-xZrxNiSb semiconductor solid solution. It is shown that defects of acceptor nature are present in the structure of LuNiSb as a result of vacancies in positions 4a and 4c of Lu and Ni atoms, respectively, which generates two acceptor levels eAVac 4a and eAVac 4c in the band gap εg. When Zr atoms are introduced into the LuNiSb structure by replacing Lu atoms in position 4a, Zr atoms also occupy vacancies in this position, which increases the lattice parameter a(x) and eliminates defects of acceptor nature and corresponding acceptor levels eAVac 4a. When the vacancies are filled, Lu atoms are displaced, which reduces the value of the unit cell parameter and generates defects of donor nature and donor levels eD4a. The Ni atoms return to position 4c, which increases the a(x) value and eliminates defects of acceptor nature and the corresponding acceptor levels eAVac 4c. At the lowest concentration of Zr atoms, the conduction type of Lu1-xZrxNiSb changes from p- to n-type. The simulation results are consistent with experimental studies of Lu1-xZrxNiSb.Методами KKR (пакет програм AkaiKKR) та FLAPW (пакет програм Elk) проведено моделювання структурних, термодинамічних, енергетичних та кінетичних характеристик напівпровідникового твердого розчину Lu1-xZrxNiSb. Показано, що у структурі сполуки LuNiSb присутні дефекти акцепторної природи як результат наявності вакансій у позиціях 4а та 4с атомів Lu та Ni відповідно, що генерує у забороненій зоні εg два акцепторні рівні eAVac 4a та eAVac 4c. При уведенні до структури LuNiSb атомів Zr шляхом заміщення у позиції 4а атомів Lu відбувається зайняття атомами Zr вакансій у цій позиції, що збільшує період елементарної комірки а(х) та ліквідує дефекти акцепторної природи і відповідні акцепторні рівні eAVac 4a. За повного заповнення вакансій відбувається витіснення атомів Lu, що зменшує значення періоду комірки та генерує дефекти донорної природи і донорні рівні eD4a. При цьому атоми Ni повертаються у позицію 4с, що збільшує значення а(х) та ліквідує дефекти акцепторної природи і відповідні акцепторні рівні eAVac 4c. За найменшої концентрації атомів Zr відбувається металізація та зміна типу провідності Lu1-xZrxNiSb з р- на n-тип. Результати моделювання узгоджуються з експериментальними дослідженнями Lu1-xZrxNiSb. &nbsp

Фазові рівноваги в потрійній системі Ho-Fe-Sn при 670 K

Interaction between the components in the Ho-Fe-Sn ternary system was studied using X-ray diffractometry, metallography and electron microprobe analysis. Isothermal section of the phase diagram was constructed at 670 K over the whole concentration range. Component interaction in the Ho-Fe-Sn system at 670 K results in the existence of one ternary compound HoFe6Sn6 which crystallizes in the YCo6Ge6 structure type (space group P6/mmm, a=0.53797(2),   c= 0.44446(2) nm). The interstitial-type solid solution HoFexSn2 (up to 8 at.% Fe) based on the HoSn2 (ZrSi2-type structure) binary compound was found. Solubility of Sn in the HoFe2 binary (MgCu2 structure type) extends up to 5 at. %.Взаємодія компонентів у потрійній системі Ho-Fe-Sn досліджена методами рентгенівської дифракції, металографічного і рентгеноспектрального аналізів. Ізотермічний переріз діаграми стану системи побудований за температури 670 K в повному інтервалі концентрацій. Взаємодія компонентів у системі Ho-Fe-Sn при 670 K характеризується існуванням однієї тернарної сполуки HoFe6Sn6 (структурний тип YCo6Ge6, просторова група P6/mmm, a=0.53797(2), c= 0.44446(2) нм). На основі бінарної сполуки HoSn2 (структурний тип ZrSi2) встановлено утворення твердого розчину включення HoFexSn2 (до вмісту 8 aт.% Fe). Розчинність Sn в бінарній сполуці HoFe2 (структурний тип MgCu2) сягає до 5 aт. %