Marketing in Italia: per competere nel terzo millennio

Il marketing, come funzione aziendale e disciplina di studio, sta vivendo un periodo di particolare attenzione e diffusione. L'allargamento dei mercati, le liberalizzazioni e l’empowerment dei consumatori sviluppano, infatti, un processo di competizione rispetto al quale ogni organizzazione, profit o non profit, privata o pubblica, si trova impegnata a stabilire modalità di relazione con il suo mercato più qualificate ed innovative rispetto anche alle nuove tecnologie disponibili. La numerosità e varietà delle esperienze nel campo del marketing sono ormai tali per cui, facendo leva su queste esperienze, si è resa necessaria ed opportuna una rivisitazione delle precedenti impostazioni, salvaguardando, da un lato, quanto nel tempo ha dimostrato la sua efficacia ed aggiungendo, da un altro lato, quanto è andato emergendo negli ultimi anni. Con questo ci si augura evidentemente di poter offrire agli studiosi, agli operatori e agli studenti un ulteriore punto di riferimento per le loro attività, pur consapevoli che nel passato erano ben pochi i testi sul marketing mentre oggi sono certamente numerosi e più difficile è la loro differenziazione

Lateral and vertical coupling effects in MIGFETs

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Ultra thin fully depleted SOI MOSFETs: Special charge properties and coupling effects

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Monte Carlo Simulation of deca-nanometer MOSFETs for Analog/Mixed-Signal and RF applications

In this work, a Monte-Carlo simulator including the most relevant scattering mechanisms and quantum corrections to the potential, already extensively applied to the DC analysis of ultra-short devices and upgraded in order to allow RF device analysis, is applied to the investigation of the RF performance of bulk MOSFETs designed according to the prescriptions of the 2005 ITRS Roadmap and of a 53 nm ultra-thin-body (UTB) single-gate (SG) SOI MOSFET. Original contributions consist in the analysis of the signal-delay build-up along the channel and investigation of the scaling properties of the parameters of the AC equivalent circuit, transition frequency FT and 3dB bandwidth of the voltage gain in common-source configuration. The effects of ballistic transport and their impact on the AC figures of merit are investigated for short UTB Double-Gate (DG) MOSFETs

Small-signal Analysis of Decananometer bulk and SOI MOSFETs for Analog/Mixed-Signal and RF Applications using the Time-Dependent Monte Carlo Approach

A state-of-the-art Monte Carlo simulator is applied to the investigation of the radio-frequency performance of bulk and ultrathin-body single-gate SOI MOSFETs that are designed according to the prescriptions of the 2005 ITRS for analog and mixed-signal applications. We provide an analysis of the signal-delay buildup along the channel and an investigation of the scaling properties of the parameters of the ac equivalent circuit, the transition frequency, and the 3-dB bandwidth of the voltage gain in common-source configuration. A comparison with a standard drift-diffusion approach is presented in order to discuss the main differences between the two transport models in terms of high-frequency ac analysis

An Improved Semi-Classical Monte Carlo Approach for Nano-MOSFET Simulation

6nonenonePALESTRI P; EMINENTE S; ESSENI D; FIEGNA C; SANGIORGI E; SELMI LPalestri, Pierpaolo; Eminente, S; Esseni, David; Fiegna, C; Sangiorgi, E; Selmi, Luc

Ultra-thin fully-depleted SOI MOSFETs: special charge properties and coupling effects

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