Значення молодіжного сленгу для розвитку мови

Стаття присвячена актуальній проблемі – вивченню значення молодіжного сленгу для сучасної динамічної мовної системи. Проаналізовано погляди різних дослідників на стрімкий вибух сленгової лексики та її проникнення долітературної мови. Основна увага приділяється ролі молодого покоління у продукуванні майбутнього мови. На підтвердження висвітлених у статті думок автор наводить приклади сленгових лексем із сучасної художньої літератури, які перейшли до загального вжитку, що відбито у сучасних тлумачних словниках. У висновках підсумовано результати розвідки й визначено напрями подальших досліджень. Наукові дослідження в галузі зацікавлень автора відбито в працях П. М. Грабового, Й. О. Дзендзелівського, С. А. Мартос, Л. О. Ставицької, О. О. Тараненка та інших мовознавців. П. М. Грабовий досліджує молодіжний сленг в аспекті мовної картини світу. О. С. Букалов вивчає особливості зниженої лексики на матеріалі художнього мов- лення. Т. Глушкова, Я. Г. Мельник і О. Б. Ященко, Н. Трач цікавляться використанням сленгової лексики в мовленні мас-медіа. І. Ю. Стопкевич, О. С. Таран, Т. Ф. Шумаріна приділяють увагу гендерним аспектам вивчення жаргонної лексики. Способи творення сленгізмів досліджують К. В. Котелевець, Т. М. Миколенко, Л. Француз, М. Каламаж. Вплив англізмів на сучасний український молодіжний сленг вивчає А. А. Воскресенська. Низка ґрунтовних наукових розвідок у галузі молодіжного сленгу здійснена доктором філологічних наук Л. О. Ставицькою. Джерела походження сленгу вивчає Н. О. Шовгун. Сленг є предметом зацікавлення багатьох дослідників. (The article is devoted to the actual problem the study of youth slang value for a modern dynamic language system. Analyzed the views of different researchers on the swift burst of slang vocabulary and its penetration in the literary language. The focus is on the role of young generation in the production of the future language. To confirm the thesis of the research the author gives examples of slang lexemes of modern fiction literature into the total consumption, which is reflected in the modern explanatory dictionaries. In the conclusions summarized the results of the study and determined the direction of further research. Scientific research in the field of interest of the author appears in the writings of P. N. Grabovoy, I. A Dzendzelevskiy, S. A. Martos, L. A. Stavickaya, A. O. Taranenko and other linguists. P. N Grabovoy explores youth slang in terms of linguistic world. A. Bukalov study features a reduced vocabulary on material of the fiction language. T. Glushkov, Y. Melnik, N. Trach, A. B. Yaschenko interested in using slang vocabulary on material media. I. Y. Stopkewich, A. Taran, T. F. Shumarin for gender aspects of studying slang vocabulary. Ways to explore the slang derivation K. V. Kotelevets, T. M. Mikolenko, L. Francuz, M. Kalamazh. The influence of the English words on modern Ukrainian Youth Slang exploring A. A. Voskresenskaya. Several articles in the sector of youth slang done Doctor of Philology L. A. Stavickaya. The origins of slang studying N. A. Shovgun. Slang is the subject of research by many scientists.

Tuning the resistive switching properties of TiO2-x films

We study the electrical characteristics of TiO2-x-based resistive switching devices fabricated with different oxygen/argon flow ratio during the oxide thin film sputtering deposition. Upon minute changes in this fabrication parameter, three qualitatively different device characteristics were accessed in the same system, namely, standard bipolar resistive switching, electroforming-free devices, and devices with multi-step breakdown. We propose that small variations in the oxygen/ argon flow ratio result in relevant changes of the oxygen vacancy concentration, which is the key parameter determining the resistive switching behavior. The coexistence of percolative or non-percolative conductive filaments is also discussed. Finally, the hypothesis is verified by means of the temperature dependence of the devices in low resistance state.Fil: Ghenzi, Néstor. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas; Argentina. Comisión Nacional de Energía Atómica. Gerencia del Área Investigaciones y Aplicaciones no Nucleares; Argentina. Universidad Nacional de San Martín. Escuela de Ciencia y Tecnología; Argentina. CIC nanoGUNE; EspañaFil: Rozenberg, M.J.. Universidad de Buenos Aires. Facultad de Ciencias Exactas y Naturales. Departamento de Física; Argentina. Université Paris Sud; FranciaFil: Llopis, R.. CIC nanoGUNE; EspañaFil: Levy, Pablo Eduardo. Comisión Nacional de Energía Atómica. Gerencia del Área Investigaciones y Aplicaciones no Nucleares; Argentina. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas; ArgentinaFil: Hueso, Luis E.. Universidad del País Vasco; España. Fundación Vasca para la Ciencia; EspañaFil: Stoliar, Pablo Alberto. Universidad Nacional de San Martín. Escuela de Ciencia y Tecnología; Argentina. CIC nanoGUNE; Españ

ЛІНГВОМЕТОДИЧНІ ОСНОВИ НАВЧАННЯ СИНТАКСИСУ СТУДЕНТІВ-ФІЛОЛОГІВ ЗА КОМПЕТЕНТНІСНОГО ПІДХОДУ (Linguistic and methodological basics of teaching syntax to philology-students in terms of competency-based approach)

У статті зроблено спробу визначити методичні основи організації навчально-виховного процесу вивчення синтаксису української мови на філологічних спеціальностях ВНЗ в умовах компетентнісної освіти; охарактеризовано основні форми, принципи й методи навчання, що забезпечують формування комуні- кативної компетентності у студентів-філологів. (In the article an attempt is made to define the methodological principles of the organization of the educational process of learning the syntax of the Ukrainian language at the philological specialties of the university in terms of competency-based education; characterized the main form, the principles and methods of teaching, providing the formation of communicative competence of students-philologists.

Enhanced and continuous electrostatic carrier doping on the SrTiO3_{3} surface

Paraelectrical tuning of a charge carrier density as high as 10$^{13}$\,cm$^{-2}$ in the presence of a high electronic carrier mobility on the delicate surfaces of correlated oxides, is a key to the technological breakthrough of a field effect transistor (FET) utilising the metal-nonmetal transition. Here we introduce the Parylene-C/Ta$_{2}$O$_{5}$ hybrid gate insulator and fabricate FET devices on single-crystalline SrTiO$_{3}$, which has been regarded as a bedrock material for oxide electronics. The gate insulator accumulates up to $\sim10^{13}$cm$^{-2}$ carriers, while the field-effect mobility is kept at 10\,cm$^2$/Vs even at room temperature. Further to the exceptional performance of our devices, the enhanced compatibility of high carrier density and high mobility revealed the mechanism for the long standing puzzle of the distribution of electrostatically doped carriers on the surface of SrTiO$_{3}$. Namely, the formation and continuous evolution of field domains and current filaments.Comment: Supplementary Information: <http://www.nature.com/srep/2013/130424/srep01721/extref/srep01721-s1.pdf

Universal electric-field-driven resistive transition in narrow-gap Mott insulators

One of today's most exciting research frontier and challenge in condensed matter physics is known as Mottronics, whose goal is to incorporate strong correlation effects into the realm of electronics. In fact, taming the Mott insulator-to-metal transition (IMT), which is driven by strong electronic correlation effects, holds the promise of a commutation speed set by a quantum transition, and with negligible power dissipation. In this context, one possible route to control the Mott transition is to electrostatically dope the systems using strong dielectrics, in FET-like devices. Another possibility is through resistive switching, that is, to induce the insulator-to-metal transition by strong electric pulsing. This action brings the correlated system far from equilibrium, rendering the exact treatment of the problem a difficult challenge. Here, we show that existing theoretical predictions of the off-equilibrium manybody problem err by orders of magnitudes, when compared to experiments that we performed on three prototypical narrow gap Mott systems V2-xCrxO3, NiS2-xSex and GaTa4Se8, and which also demonstrate a striking universality of this Mott resistive transition (MRT). We then introduce and numerically study a model based on key theoretically known physical features of the Mott phenomenon in the Hubbard model. We find that our model predictions are in very good agreement with the observed universal MRT and with a non-trivial timedelay electric pulsing experiment, which we also report. Our study demonstrates that the MRT can be associated to a dynamically directed avalanche