Mode Competition in Dual-Mode Quantum Dots Semiconductor Microlaser

This paper describes the modeling of quantum dots lasers with the aim of assessing the conditions for stable cw dual-mode operation when the mode separation lies in the THz range. Several possible models suited for InAs quantum dots in InP barriers are analytically evaluated, in particular quantum dots electrically coupled through a direct exchange of excitation by the wetting layer or quantum dots optically coupled through the homogeneous broadening of their optical gain. A stable dual-mode regime is shown possible in all cases when quantum dots are used as active layer whereas a gain medium of quantum well or bulk type inevitably leads to bistable behavior. The choice of a quantum dots gain medium perfectly matched the production of dual-mode lasers devoted to THz generation by photomixing.Comment: First draft of a paper submitted to Phys Rev A. This version includes an extended discussion about dual-mode lasers and recall some known results about stability. Extended bibliograph

Le Parlement et les citoyens

Ce numéro des Cahiers du CEVIPOF interroge les liens entre l’institution parlementaire et les électeurs entre deux élections à travers des contributions de politistes, historiens ou de praticiens. Une première partie met à jour différents types d’attitudes et de comportements des électeurs français vis-à-vis du Parlement. Elle permet de dépasser le constat connu d’une profonde défiance citoyenne pour éclairer différentes types de circulation entre élus et électeurs. La seconde partie questionne la façon des citoyens sont perçus, sollicités voire craints depuis le Parlement. Elle prend la mesure des multiples stratégies de communication des assemblées mais aussi de leur adaptation, parfois réticente, aux mouvements d’opinion, touchant par l’exemple aux règles éthiques, ou aux technologies modernes de l’information. Au final, ces contributions mettent à jour la profonde ambivalence du lien représentatif hors élections

Analyse du processus de formation de la barrière or-silicium

Nous comparons les caractéristiques courant-tension sous éclairement de diodes Schottky or-silicium à des courbes théoriques de structures MIS. Nous montrons que l'évolution dans le temps de ces caractéristiques est due à la neutralisation d'une charge fixe positive, située à l'interface métal-semiconducteur, par l'oxygène de l'air qui diffuse à travers le contact métallique et qui se comporte en piège à électrons du semiconducteur

Tailoring the Local Density of Optical States and directionality of light emission by symmetry-breaking

We present a method to simultaneously engineer the energy-momentum dispersion and the local density of optical states. Using vertical symmetry-breaking in high-contrast gratings, we enable the mixing of modes with different parities, thus producing hybridized modes with controlled dispersion. By tuning geometric parameters, we control the coupling between Bloch modes, leading to flatband, M- and W-shaped dispersion as well as Dirac dispersion. Such a platform opens up a new way to control the direction of emitted photons, and to enhance the spontaneous emission into desired modes. We then experimentally demonstrate that this method can be used to redirect light emission from weak emitters -- defects in Silicon -- to optical modes with adjustable density of states and angle of emission